在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容

题目

在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

  • A、均匀性
  • B、表面平整度
  • C、自由应力
  • D、纯净度
  • E、电容
相似考题

1.薄膜包衣时，应注意的事项不包括下列哪项（ ）。A．包衣液应均匀喷雾在片心表面B．为掩盖片心颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C．待溶剂挥发干燥后再包下一层D．应注意防止结晶析出以免导致片面不平E．操作中有机溶剂要回收使用

2.薄膜包衣时，应注意的事项不包括A、包衣液应均匀喷雾在片芯表面B、为掩盖片芯颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C、待溶剂挥发干燥后再包下一层D、注意防止结晶析出以免导致片面不平E、操作中有机溶剂要回收使用

3.为保障车辆安全运行，路面的性能除应满足强度和刚度的要求外，还应满足的性能要求有()A:稳定性B:表面平整度C:表面抗滑性D:耐久性E:平曲线

4.薄膜包衣操作的注意事项，不包括的是A.包衣溶液应均匀喷洒在片心表面B.待溶液挥发干燥后再包第二层C.注意防止结晶的析出致片面不平D.为掩盖片心颜色，可包数层粉衣后再包薄膜衣E.操作中有机溶剂要回收使用

参考答案和解析
正确答案:A,B,C,D,E
更多“在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容”相关问题

  • 第1题：

    薄膜包衣时，应注意的事项不包括

    A.包衣液应均匀喷雾在片芯表面
    B.为掩盖片芯颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣
    C.待溶剂挥发干燥后再包下一层
    D.注意防止结晶析出以免导致片面不平
    E.操作中有机溶剂要回收使用

    答案：D
    解析：
    由于衣层比糖衣薄，又称薄膜衣。薄膜衣料：包括成膜材料和增塑剂、着色剂、溶剂和掩蔽剂。

  • 第2题：

    表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）


    正确答案:正确

  • 第3题：

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

    • A、1050～1200℃
    • B、900～1050℃
    • C、1100～1250℃
    • D、1200～1350℃

    正确答案:A

  • 第4题：

    薄膜包衣时，应注意的事项不包括下列哪项（）

    • A、包衣液应均匀喷雾在片心表面
    • B、为掩盖片心颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣
    • C、待溶剂挥发干燥后再包下一层
    • D、应注意防止结晶析出以免导致片面不平
    • E、操作中有机溶剂要回收使用

    正确答案:D

  • 第5题：

    淀积层（illuvialhorizon）


    正确答案: 这是物质绝对累积的层次。该层次往往和淋溶层相对立而存在，即上部为淋溶层，下部为淀积层。淀积层的代号以大写字母B表示。但B层的性质差别很大，常需用词尾（小写字母）加以限制，给予充分指明。如“腐殖质B”为Bh，“铁质B”为Bs，“质地B”为Bt等。

  • 第6题：

    土壤剖面划分中A代表（）层。

    • A、有机层
    • B、腐殖质层
    • C、淋溶层
    • D、淀积层

    正确答案:B

  • 第7题：

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

    • A、600～750℃
    • B、900～1050℃
    • C、1100～1250℃
    • D、950～1100℃

    正确答案:B

  • 第8题：

    通过在玻璃表面造成压应力层而使玻璃得到增强的工艺称为（）


    正确答案:淬火

  • 第9题：

    均压电容检修关键工艺质量控制（）

    • A、螺栓应对称均匀紧固，力矩符合产品技术规定，密封面的连接螺栓应涂防水胶
    • B、外绝缘清洁、无破损，瓷件与金属法兰浇注面防水胶层完好，法兰排水孔畅通
    • C、新均压电容的安装尺寸和技术参数与原均压电容保持一致
    • D、触头表面完好，操作灵活、可靠，接触良好

    正确答案:A,B,C

  • 第10题：

    填空题
    复合木地板的耐磨层，是在表面均匀压制一层（），其含量和薄膜的厚度决定了耐磨的（）。

    正确答案： 三氧化二铝,转数
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    半导体工艺中电介质薄膜的应用

    正确答案： （1）作为钝化保护层
    （2）ILD0的掺杂物阻挡层
    （3）紫外线可以穿透的保护层
    （4）作为ILD材料
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面（）。
    A

    等离子体蚀刻系统的形态

    B

    等离子体蚀刻的参数

    C

    光刻胶

    D

    待蚀刻薄膜的淀积参数条件


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？


    正确答案: 简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它可以在谐振频率下振荡，工作时测量其振荡频率。原理：因为晶体顶部有材料蒸发淀积，所外加的质量将使得频率偏移，由测得的频率移动可得出淀积速率。淀积足够厚的材料后，谐振频率会移动几个百分点，振荡器便会失效，不再出现尖锐谐振。将频率测量系统的输出与机械挡板的控制相连，淀积层厚度可以在很宽的淀积速率范围内得到很好的控制。同时可以将淀积厚度的时间速率变化反馈给坩埚的温度控制，以得到恒定的淀积速率。

  • 第14题：

    对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。


    正确答案: 反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻的化学反应控制淀积系统，腔内各处都发生薄膜生长。冷壁：仅对硅片和支撑件加热，一般采用辐照加热和射频加热，升降温快速，但温度均匀性差，适合对温度要求不高的质量输运控制。冷壁系统能够降低在侧壁上的淀积，减小了反应剂的损耗，也减小壁上颗粒剥离对淀积薄膜质量的影响。

  • 第15题：

    在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

    • A、使薄膜的介电常数变大
    • B、可能引入杂质
    • C、可能使薄膜层间短路
    • D、使薄膜介电常数变小
    • E、可能使薄膜厚度增加

    正确答案:B,C

  • 第16题：

    交联聚乙烯绝缘电缆内半导体屏蔽层的作用是（）。

    • A、线芯表面采用半导体屏蔽层可以均匀线芯表面不均匀电场的作用。
    • B、防止了导体与绝缘层间接触。
    • C、抑制电树或水树生长。
    • D、通过半导体屏蔽层热阻的分温作用，使主绝缘温升下降，起到热屏蔽作用。

    正确答案:A,C,D

  • 第17题：

    淀积黏化层


    正确答案: 表层黏粒分散后随悬浮液向下适移并淀积于一定深度中形成的黏粒淀积层。

  • 第18题：

    有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？


    正确答案: 常压化学气相淀积（APCVD.，
    低压化学气相淀积（LPCVD.，
    等离子体辅助CVD。

  • 第19题：

    在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

    • A、刻蚀
    • B、氧化
    • C、淀积
    • D、光刻

    正确答案:D

  • 第20题：

    复合木地板的耐磨层，是在表面均匀压制一层（），其含量和薄膜的厚度决定了耐磨的（）。


    正确答案:三氧化二铝；转数

  • 第21题：

    判断题
    在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？

    正确答案： （1）参加反应的气体混合物被输运到沉积区；
    （2）反应物由主气流扩散到衬底表面；
    （3）反应物分钟吸附在衬底表面上；
    （4）吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成原子和化学反应副产物，原子沿衬底表面迁移并形成薄膜；
    （5）反应副产物分子从衬底表面解吸。
    解析： 暂无解析

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