在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻

题目

在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

  • A、刻蚀
  • B、氧化
  • C、淀积
  • D、光刻
相似考题

1.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

2.刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

3.有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻

4.反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

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  • 第1题：

    在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

    • A、单晶硅刻蚀
    • B、多晶硅刻蚀
    • C、二氧化硅刻蚀
    • D、氮化硅刻蚀

    正确答案:A

  • 第2题：

    实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。

    • A、光刻
    • B、刻蚀
    • C、氧化
    • D、溅射

    正确答案:A

  • 第3题：

    光刻和刻蚀的目的是什么？


    正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

  • 第4题：

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    • A、刻蚀速率
    • B、选择性
    • C、各向同性
    • D、各向异性

    正确答案:B

  • 第5题：

    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）

    • A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工
    • B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工
    • C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

    正确答案:C

  • 第6题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    填空题
    圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

    正确答案： 方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好,去胶,方向性好，刻蚀速率高,SiO2、Al、Si3N4,多晶硅
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    填空题
    随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。

    正确答案： 介质,金属,CMP
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）
    A

    扩散

    B

    化学机械抛光

    C

    刻蚀

    D

    离子注入


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
    A

    光刻

    B

    刻蚀

    C

    氧化

    D

    溅射


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    光刻和刻蚀的目的是什么？

    正确答案： 光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

    正确答案： 离子注入
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


    正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
    2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。

  • 第14题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第15题：

    单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

    • A、氮化硅
    • B、二氧化硅
    • C、光刻胶
    • D、多晶硅

    正确答案:B

  • 第16题：

    微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。


    正确答案:超微机械加工；封接技术；分子装配技术

  • 第17题：

    问答题
    二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

    正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
    A

     有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状

    B

     在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形

    C

     变成刻蚀介质以形成一个凹槽

    D

     在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    填空题
    光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。

    正确答案： 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。
    A

    刻蚀

    B

    离子注入

    C

    光刻

    D

    金属化


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
    A

    a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；

    B

    b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；

    C

    c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

    正确答案： 三束加工技术,牺牲层技术,外延生长技术
    解析： 暂无解析

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