由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性

题目

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  • A、刻蚀速率
  • B、选择性
  • C、各向同性
  • D、各向异性
相似考题

1.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

2.干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

3.举例说明各向同性和各向异性刻蚀的特点。

4.铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

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  • 第1题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第2题：

    （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

    • A、刻蚀速率
    • B、刻蚀深度
    • C、移除速率
    • D、刻蚀时间

    正确答案:A

  • 第3题：

    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）

    • A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工
    • B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工
    • C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

    正确答案:C

  • 第4题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第5题：

    问答题
    简述法刻蚀的优缺点（与湿法刻蚀比）。

    正确答案： 优点：①刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制；
    ②好的CD控制；
    ③最小的光刻胶脱落或粘附问题；
    ④好的片内、片间、批间的刻蚀均匀性；
    ⑤化学品使用费用低。
    缺点：①对下层材料的刻蚀选择比较差；
    ②等离子体诱导损伤；
    ③设备昂贵。
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。

    正确答案： 把硅片置于气态产生的等离子体，等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面，等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。
    干法刻蚀用物理和化学方法，可实现各向异性刻蚀，能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术，广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。
    把硅片置于液体化学试剂，化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法，一般是各向同性刻蚀，不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本只用于部分材料去除工艺。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    填空题
    在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

    正确答案： 化学作用,物理作用,化学作用与物理作用混合
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
    A

    a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；

    B

    b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；

    C

    c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？

    正确答案： 优点：
    1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
    2.好的CD控制。
    3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
    4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
    5.较低的化学制品使用和处理费用。
    缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    在各向同性刻蚀时，薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度，则必须采用各向异性刻蚀。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？

    正确答案： 湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便，一般的常规生产均能满足要求，但各向同性刻蚀性太强，难以控制线宽，而且刻蚀剂大多为腐蚀性较强的试剂，安全性较差；
    物理性干法刻蚀方向性好、可获得接近垂直的刻蚀侧墙，但因为离子的溅击面太广，掩蔽层也遭到刻蚀，使得刻蚀选择性降低，另外，被击出的是非挥发性物质，容易再次淀积，使刻蚀速率降低；化学性干法刻蚀选择比高但却是各向同性刻蚀，线宽控制性差。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 相反

  • 第13题：

    晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

    • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
    • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
    • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
    • D、有利于以后的去胶工序
    • E、减少光刻胶的缺陷

    正确答案:A,B,C,E

  • 第14题：

    刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

    • A、选择性
    • B、均匀性
    • C、轮廓
    • D、刻蚀图案

    正确答案:B

  • 第15题：

    问答题
    二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

    正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
    解析： 暂无解析

  • 第16题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？

    正确答案： 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    问答题
    列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？

    正确答案： 1.对不需要刻蚀的材料的高选择比
    2.获得可接受的产能的刻蚀速率
    3.好的侧壁剖面控制
    4.好的片内均匀性
    5.低的器件损伤
    6.宽的工艺制造窗口
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？

    正确答案： 用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。
    分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀等类型。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点

    正确答案： （1）对材料具有高的选择比
    （2）不会对器件带来等离子体损伤
    （3）设备简单
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    干法刻蚀有高的还是低的选择比？

    正确答案： 干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。

    正确答案： 1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
    2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
    ○1保真度好，图形分辨率高；
    ○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
    ○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
    缺点：
    ○1设备复杂
    ○2选择比不如湿法
    解析： 暂无解析

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