在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）

题目

在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）

相似考题

1.扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()此题为判断题(对，错)。

2.恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。A、高斯B、余误差C、指数

3.例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

4.杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

更多“在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）”相关问题

  • 第1题：

    以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。


    正确答案: 在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进行扩散。主要有三种扩散模式：①晶粒尺寸较小或晶粒内的扩散较快，以至从两边晶粒间界向晶粒内的扩散相互重叠，形成如图A类分布。②晶粒较大或晶粒内的扩散较慢，所以离晶粒间界较远处杂质原子很少，形成如图B类分布。③与晶粒间界扩散相比，晶粒内的扩散可以忽略不计，因此形成如图C类分布。所以多晶扩散要比单晶扩散快得多，其扩散速度一般要大两个数量级。

  • 第2题：

    在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

    • A、填隙扩散
    • B、杂质扩散
    • C、推挤扩散
    • D、自扩散

    正确答案:B

  • 第3题：

    He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

    • A、活跃杂质
    • B、快速扩散杂质
    • C、有害杂质
    • D、扩散杂质

    正确答案:B

  • 第4题：

    恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。

    • A、源蒸气
    • B、杂质和惰性气体混合物
    • C、水蒸气和杂志混合物
    • D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物

    正确答案:A

  • 第5题：

    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    判断题
    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。

    正确答案： 高斯
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

    正确答案： 高温,时间,温度
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

    正确答案： 间隙式扩散机制,替代式扩散机制,激活杂质后
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

    • A、推挤扩散
    • B、杂质扩散
    • C、填隙扩散
    • D、自扩散

    正确答案:D

  • 第14题：

    下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

    • A、硼
    • B、锡
    • C、锑
    • D、磷
    • E、砷

    正确答案:C,D

  • 第15题：

    扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

    • A、内部的杂质分布
    • B、表面的杂质分布
    • C、整个晶体的杂质分布
    • D、内部的导电类型
    • E、表面的导电类型

    正确答案:A,E

  • 第16题：

    扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的


    正确答案:错误

  • 第17题：

    单选题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
    A

     激活杂质后

    B

     一种物质在另一种物质中的运动

    C

     预淀积

    D

     高温多步退火


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    判断题
    二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度
    A

    ②④

    B

    ①③

    C

    ①④

    D

    ②③


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    杂质在硅中的扩散方式有哪些？

    正确答案： 恒定表面源扩散和限定表面源扩散
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    杂质在硅中有哪些扩散机制？

    正确答案： ①间隙式扩散；
    ②替位式扩散。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

    正确答案： 余误差,高斯分布
    解析： 暂无解析

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