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  • 第1题:

    采用膜式水冷壁的优点是什么?


    正确答案: 采用膜式水冷壁减轻了炉墙重量,因而也降低了造价,而且便于采用悬吊结构,提高炉膛严密性,从而降低热损失。由于炉膛蓄热能力的减小,炉膛(燃烧室)升温快,冷却亦快,可缩短启、停时间,也缩短了事故情况下的抢修时间。

  • 第2题:

    成长乐用的是什么膜层?().

    • A、克拉级镀膜
    • B、特氟龙镀膜
    • C、高清镀膜
    • D、莲花膜

    正确答案:A

  • 第3题:

    采用铜试剂造膜的条件是什么?


    正确答案: (1)采用铜试剂造膜,必须先将铜管进行清洗,使其表面清洁,对新铜管不需进行酸洗,但应采用1—2%Na3PO4溶液清洗一次,使铜管表面清洁。
    (2)用凝结水配制0.3—0.4%的铜试剂溶液,使其通过铜管进行循环,每循环0.5小时,停留2小时,进行40小时后,将废液排掉。
    (3)处理过程中,温度始终保持在55—60℃之间,PH维持在7—10之间。
    (4)铜试剂处理完毕,在铜管的外侧加入70—80℃的热水,使管内保护膜烘干后可投入运行。

  • 第4题:

    淀积层(illuvialhorizon)


    正确答案: 这是物质绝对累积的层次。该层次往往和淋溶层相对立而存在,即上部为淋溶层,下部为淀积层。淀积层的代号以大写字母B表示。但B层的性质差别很大,常需用词尾(小写字母)加以限制,给予充分指明。如“腐殖质B”为Bh,“铁质B”为Bs,“质地B”为Bt等。

  • 第5题:

    问答题
    淀积的主要作用是什么?

    正确答案: 生成器件制造所需的材料
    解析: 暂无解析

  • 第6题:

    判断题
    在LPCVD中,由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是质量转移控制
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    判断题
    LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    判断题
    LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    填空题
    缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。

    正确答案: 等离子体增强化学气相淀积,低压化学气相淀积,常压化学气相淀积
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

    正确答案: ①晶体生长或成膜的质量好;②淀积温度低,便于控制;③可使淀积衬底的表面积扩大,提高淀积效率。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的()、()或者在器件中产生不希望的()。

    正确答案: 膜应力,电短路,诱生电荷
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    化学气象淀积是什么?

    正确答案: 通过气态物质的化学反应,wafer表面淀积一层固态薄膜材料的工艺
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?


    正确答案: CVD过程包括两个部分:一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应 存在两种极限情况:①hg>>ks,Cs趋于Cg,淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量:主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg<0e−EA/KT淀积速率随温度的升高而成指数增加。②高温情况下,质量输运控制由于反应速度的加快,输运到表面的反应剂数量低于该温度下表面化学反应所需要的数量,这时的淀积速率将转为由质量输运控制,基本不再随温度变化而变化。

  • 第14题:

    加膜镜片的优点是什么?


    正确答案: 较高透光率,增加清晰度
    美观,无明显反光
    减少镜片涡纹

  • 第15题:

    一个成熟的植物细胞的原生质层包括()

    • A、A细胞膜、液泡膜和这两层膜之间的原生质
    • B、B细胞膜、液泡膜和这两层膜之间的细胞质
    • C、C细胞膜、核膜和这两层膜之间的细胞质
    • D、D细胞膜、核膜和这两层膜之间的原生质

    正确答案:B

  • 第16题:

    淀积黏化层


    正确答案: 表层黏粒分散后随悬浮液向下适移并淀积于一定深度中形成的黏粒淀积层。

  • 第17题:

    问答题
    何谓覆膜砂?基本配比是什么?覆膜砂制芯的优点有哪些?

    正确答案: 覆膜砂:用酚醛树脂作粘结剂配制的型(芯)砂叫覆膜砂。
    壳法覆膜砂用原材料
    1)酚醛树脂:加入量3.5-6%;
    2)硬化剂:六亚甲基四胺[(CH2)6N4]-乌洛托品,加入量为酚醛树脂重量的10-15%,并按[(CH2)6N4]:H2O=1:1配成水溶液加入;
    3)原砂:一般为石英砂
    对表面质量要求高的铸件,特别是铸件壁很厚实,易产生粘砂的铸钢件,也常用锆砂。
    粒度:70/140目和100/200目。
    4)附加物
    (1)硬脂酸钙:加砂重的0.25-0.35%,防止覆膜砂存放期间结块,增加流动性,使型、芯表面质量致密,制模时易于顶出;
    (2)石英粉:占砂重的2%,提高覆膜砂的高温强度。
    (3)氧化铁粉:加入砂重的1-3%,提高型、芯的热塑性,防止铸件产生毛刺和皮下气孔。
    覆膜砂的混制工艺:以原砂为100,热塑性酚醛树脂为3.5-6,乌洛托品10-15和硬脂酸钙(砂重的0.25-0.35%),石英粉(砂重的2%)。
    优点:1)混制好的覆膜砂可以较长期贮存(三个月以上);2)无需捣砂,能获得尺寸精确的型、芯;3)砂型、砂芯强度高、重量轻、易搬运;4)透气性好,可用细的原砂得到光洁的铸件表面;5)无需砂箱;6)覆膜砂消耗量小;7)型、芯可以长期贮放。
    解析: 暂无解析

  • 第18题:

    判断题
    在LPCVD中,由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是表面反应速率控制
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第19题:

    问答题
    生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么?

    正确答案: 在升温环境里,通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应,可以在硅片上得到一层热生长的氧化层;沉积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源,使它们在腔体中反应,从而在硅片表面形成一层薄膜。
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    单选题
    成长乐用的是什么膜层?().
    A

    克拉级镀膜

    B

    特氟龙镀膜

    C

    高清镀膜

    D

    莲花膜


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    问答题
    镀铬层中产生部分棕色膜,这是什么原因?

    正确答案: 镀铬层中产生部分棕色膜,主要是硫酸根不足所造成的。此外,槽液温度过低或受杂质(如Cl-)干扰,也会在铬镀层中产生棕色的膜。
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    简述淀积膜的过程的三种不同阶段

    正确答案: (1)晶核形成,成束的稳定小晶核形成
    (2)聚集成束,也称为岛生长
    (3)形成连续的膜
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    问答题
    为溅射做一个简短的解释,并描述它的工作方式?溅射适合于合金淀积吗?溅射淀积的优点是什么?

    正确答案: 溅射是物理气相淀积形式之一,是一种薄膜淀积技术。
    工作方式:在溅射过程中,高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板,按物理过程撞 击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空,最后淀积在硅片上。
    优点:
    1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力。
    2.能够淀积高温熔化和难溶金属。
    3.能够在直径为200毫米或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜。
    4.具有多腔集成设备,能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。
    解析: 暂无解析