晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。

题目

晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。

相似考题

1.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

2.②该方案存在明显缺陷，因为得到的产物晶体事往往含有_________ 杂质，产生该杂质的原因是_______。

3.掺入杂质原子除形成非整比化合物外，还常常形成结构缺陷。

4.纯净晶体结构的半导体称之为()A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、杂质半导体

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  • 第1题：

    纯净的尿素是（）、（）、（）的针状或棱柱状晶体。


    正确答案:无色；无味；无臭

  • 第2题：

    理想晶体的内部都或多或少地存在有各种晶体缺陷。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    晶体中的刃形位错属于（）。

    • A、体缺陷
    • B、面缺陷
    • C、线缺陷
    • D、点缺陷

    正确答案:C

  • 第4题：

    下列说法不属于晶体的化学缺陷的是（）。

    • A、置换
    • B、填隙
    • C、空位
    • D、非整比

    正确答案:C

  • 第5题：

    完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。


    正确答案:本征半导体

  • 第6题：

    NPN型和PNP型晶体管的区别是（）

    • A、由两种不同材料硅和锗制成的
    • B、渗入的杂质元素不同
    • C、P区和N区的位置不同

    正确答案:C

  • 第7题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

    • A、晶体缺陷
    • B、温度
    • C、杂质浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:C

  • 第8题：

    填空题
    完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。

    正确答案： 本征半导体
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。

    正确答案： n,p
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    晶体的缺陷按几何维度可划分为点缺陷、（）和体缺陷。其中点缺陷又可分为（）和杂质缺陷。

    正确答案： 线缺陷、面缺陷,热缺陷
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。
    A

    热缺陷

    B

    杂质缺陷

    C

    非化学计量缺陷

    D

    A+B+C


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    晶体中的空位属于（）。
    A

    点缺陷

    B

    线缺陷

    C

    面缺陷


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    以下关于晶体的说法中正确的是（）。

    • A、晶体根据结构和性质只可分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类
    • B、任何晶体中都含有化学键，如离子键、共价键、金属键、氢键等
    • C、含有阳离子的晶体一定属于离子晶体
    • D、干冰和冰都属于分子晶体

    正确答案:D

  • 第14题：

    自然界中的所有物质都是晶体或由晶体组成。（）


    正确答案:错误

  • 第15题：

    实际金属晶体结构中的晶界属于晶体缺陷中的（）。

    • A、点缺陷
    • B、线缺陷
    • C、面缺陷
    • D、宏观缺陷

    正确答案:B

  • 第16题：

    在理想晶体中，只有（）能散射电子。

    • A、杂质
    • B、声子
    • C、电子
    • D、缺陷

    正确答案:B

  • 第17题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第18题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第19题：

    晶体中的间隙原子属于（）

    • A、面缺陷
    • B、体缺陷
    • C、线缺陷
    • D、点缺陷

    正确答案:D

  • 第20题：

    单选题
    在晶体缺陷理论中进入晶体正常结点之间的间隙位置的原子称为（）
    A

    取代原子

    B

    空位原子

    C

    杂质原子

    D

    填隙原子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    以下关于晶体的说法中正确的是（）。
    A

    晶体根据结构和性质只可分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类

    B

    任何晶体中都含有化学键，如离子键、共价键、金属键、氢键等

    C

    含有阳离子的晶体一定属于离子晶体

    D

    干冰和冰都属于分子晶体


    正确答案： A
    解析： 根据构成晶体的粒子及粒子间的相互作用，通常将晶体分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类，但石墨晶体的结构特殊，属于混合晶体，A项错；不是任何晶体中都含有化学键（如稀有气体单质），氢键也不是化学键，B项错；金属晶体中含有阳离子（和自由电子），C项错；干冰（CO）、冰（HO）都是分子晶体，故选D。

  • 第22题：

    单选题
    在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）
    A

    取代原子

    B

    空位原子

    C

    杂质原子

    D

    填隙原子


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    实际晶体中总会存在不完整的、原子排列偏离理想状态的区域，这些区域称为（）。
    A

    不完整晶体

    B

    晶体缺陷

    C

    非理想晶体

    D

    非晶体


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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