正常工作时,NPN型硅管发射结的电压为()V。
第1题:
硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
第2题:
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V=-1.7V,V=-1.4V,VC=5V,则该管类型为()。
第3题:
硅管与锗管的死区电压分别为()。
第4题:
某NPN硅三极管各极电压为Ue=0V,Ub=0.2V,Uc=6V,该管处于()状态.
第5题:
硅三极管正常工作时的Ube的变化范围在()
第6题:
硅管的死区电压约为()。
第7题:
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。
第8题:
当NPN三极管发射结电压大于0.6V;集电结电压也大于0.6V时,三极管的工作状态是()。
第9题:
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V,则该管为()
第10题:
若三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是()。
第11题:
当NPN三极管发射结电压大于0.6V,集电结电压小于0.6V时,三极管处于()。
第12题:
PNP管大多为锗管,其发射结的正向压降一般为()V。
第13题:
工作在放大状态的三极管,测得三个管脚的电位分别为:1脚,-3.2V,2脚,-3V,3脚,-6V。由此可以判定三极管为()。
第14题:
硅管与锗管的死区电压分别为()。
第15题:
NPN、PNP三极管工作放大状态时,其发射结()。
第16题:
硅三极管正常工作时的Ube变化范围在()
第17题:
某放大电路正常工作时,测得UB=1.5V,UE=2V,则所用半导体三极管的类型及材料为()
第18题:
硅管的正向电压为()V。
第19题:
当NPN三极管发射结电压小于0V;集电结电压小于0V时,三极管的工作状态是()。
第20题:
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为()
第21题:
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管不是()
第22题:
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE=6V,UB=5.3V,UC=0V,则该管为()。
第23题:
对放大电路中的三极管测量,各级对地电压为UB=2.7V,UE=2V,UC=6V则该管是()