硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
第1题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
第2题:
硅二极管两端加上正向电压时()。
第3题:
硅管与锗管的死区电压分别为()。
第4题:
晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
第5题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第6题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第7题:
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第8题:
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第9题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第10题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第11题:
硅二极管反向导通电流一般()。
第12题:
第13题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第14题:
硅管与锗管的死区电压分别为()。
第15题:
锗管的正偏导通电压为()伏左右。
第16题:
二极管真正导通后,锗管的电压约为()V。
第17题:
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
第18题:
在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。
第19题:
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
第20题:
在相同温度下,硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的()
第21题:
硅管的导通电压比锗管大,反向电流比锗管(),温度稳定性比锗管()。
第22题:
汽车硅整流发电机用的整流二极管,当单个二极管导通时,其正向压降为()伏。
第23题:
大
小
相等
以上答案都不对