更多“晶闸管导通时的管压降约()V。A、0.1B、1C、3D、5”相关问题
  • 第1题:

    通态平均电压是指晶闸管导通后,A、K极之间在一个周期内的平均电压值,称为()。

    • A、管压降
    • B、正向电压
    • C、反向电压
    • D、平均电压

    正确答案:A

  • 第2题:

    二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。

    • A、0.2
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第3题:

    二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。


    正确答案:错误

  • 第4题:

    常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。

    • A、0.1
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第5题:

    管压降是指二级管导通时的()

    • A、压降
    • B、反向压降
    • C、正向压降
    • D、电压降

    正确答案:C

  • 第6题:

    晶闸管导通后,本身的压降约为()V左右,称为通态平均电压。

    • A、0.5
    • B、0.7
    • C、1
    • D、3

    正确答案:C

  • 第7题:

    二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。


    正确答案:正向导通;反向截止;0.7

  • 第8题:

    常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。


    正确答案:0.6(或0.7);0.2(或0.3)

  • 第9题:

    晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。


    正确答案:0.6~0.7;0.2~0.3;0.5;0.1

  • 第10题:

    在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。


    正确答案:0.5V;0.7V;0.1V;0.2V

  • 第11题:

    晶闸管导通时的管压降约()V。

    • A、0.1
    • B、1
    • C、3
    • D、5

    正确答案:B

  • 第12题:

    问答题
    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

    正确答案: 若流过PN结的电流较小,二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻,阻值较高且为常数,因而其管压降随正向电流的上升而增加;当流过PN结的电流较大时,注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,导致其电阻率明显下降,即电导率大大增加,该现象称为电导调制效应。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    可控硅导通后,管压降一般约为()V左右

    • A、0.3
    • B、1
    • C、0.7
    • D、1.5

    正确答案:B

  • 第14题:

    二极管处于导通状态时,二极管的压降()。

    • A、为零
    • B、硅管0.7V,锗管0.3V
    • C、等于电路电压
    • D、电压不变

    正确答案:B

  • 第15题:

    二极管导通时,正向压降为0.7V。


    正确答案:错误

  • 第16题:

    晶闸管导通后,阳极与阴极间的正向电压很小,约为()V左右。

    • A、1
    • B、2
    • C、3
    • D、4

    正确答案:A

  • 第17题:

    晶闸管导通后的管压降为()左右。

    • A、1V
    • B、1.2V
    • C、0.8V
    • D、0.6~0.7V

    正确答案:A

  • 第18题:

    晶闸管的阳极直流电位是20V,阴极电位是0V,给控制极3V触发电压,此时晶闸管导通;当取消3V触发电压时,晶闸管()。

    • A、截止
    • B、导通截止
    • C、导通
    • D、截止导通

    正确答案:C

  • 第19题:

    晶闸管导通后,其正向压降约等于()。

    • A、零
    • B、0.3V
    • C、1V左右

    正确答案:C

  • 第20题:

    硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。


    正确答案:0.7;0.2

  • 第21题:

    在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。


    正确答案:0.7;0.3

  • 第22题:

    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。


    正确答案:若流过PN结的电流较小,二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻,阻值较高且为常数,因而其管压降随正向电流的上升而增加;当流过PN结的电流较大时,注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,导致其电阻率明显下降,即电导率大大增加,该现象称为电导调制效应。

  • 第23题:

    单选题
    晶闸管的阳极直流电位是20V,阴极电位是0V,给控制极3V触发电压,此时晶闸管导通;当取消3V触发电压时,晶闸管()。
    A

    截止

    B

    导通截止

    C

    导通

    D

    截止导通


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    填空题
    常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

    正确答案: 0.6(或0.7),0.2(或0.3)
    解析: 暂无解析