绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。

题目

绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。

相似考题

1.在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:()A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT

2.IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

3.绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT

4.绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。()此题为判断题(对，错)。

更多“绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。”相关问题

  • 第1题：

    绝缘栅双极型晶体管简称( )。

    A.MOSFET

    B.IGBT

    C.GTR

    D.GTO


    正确答案：B

  • 第2题：

    绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。


    正确答案:电力晶体管

  • 第4题：

    绝缘栅双极型晶体管是用什么与集电极复合而成？


    正确答案: 绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。

  • 第5题：

    绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。


    正确答案:电力场效应晶体管栅极为栅极；以电力晶体管集电极和发射极

  • 第6题：

    绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。

    • A、“IGBT”
    • B、“BJT”
    • C、“GTO”
    • D、“MOSFET”

    正确答案:A

  • 第7题：

    绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。

    正确答案： 集电极
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。
    A

    相控型

    B

    全控型

    C

    电压控制型

    D

    复合型

    E

    双极型


    正确答案： E,A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。
    A

    “IGBT”

    B

    “BJT”

    C

    “GTO”

    D

    “MOSFET”


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    绝缘栅双极型晶体管简称（）。

    • A、MOSFET
    • B、IGBT
    • C、GTR
    • D、GTO

    正确答案:B

  • 第14题：

    绝缘栅双极型晶体管（IGTR）是以（）作为基极，以（）作为发射极与集电极复合而成。


    正确答案:场效应晶体管；电力晶体管

  • 第15题：

    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。


    正确答案:电力场效应晶体管栅极；以电力晶体管集电极和发射极

  • 第16题：

    TTL“与非”门电路是以（）为基本元件构成的。

    • A、双极型三极管
    • B、双极型绝缘栅
    • C、单极型三极管
    • D、单极型绝缘栅

    正确答案:A

  • 第17题：

    IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。

    • A、绝缘栅场效应管
    • B、结型场效应管
    • C、绝缘栅双极晶体管
    • D、双极型功率晶体管

    正确答案:C

  • 第18题：

    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。


    正确答案:不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能

  • 第19题：

    具有锁定效应的电力电子器件是（）。

    • A、电力晶体管
    • B、晶闸管
    • C、可关断晶闸管
    • D、绝缘栅双极型晶体管

    正确答案:D

  • 第20题：

    问答题
    简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么？

    正确答案： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    具有锁定效应的电力电子器件是（）。
    A

    电力晶体管

    B

    晶闸管

    C

    可关断晶闸管

    D

    绝缘栅双极型晶体管


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。

    正确答案： 电力场效应晶体管栅极为栅极,以电力晶体管集电极和发射极
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。

    正确答案： 电力场效应晶体管栅极,以电力晶体管集电极和发射极
    解析： 暂无解析

相关内容