有哪些因素影响晶体成长速率？

题目

有哪些因素影响晶体成长速率？

相似考题

1.碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时，由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要（），因此所得成品粒度会（）。A、快，大B、快，小C、慢，大D、慢，小

2.下列哪些因素不能影响晶体成长速率（）。A、温度B、压力C、杂质D、晶体大小

3.何谓干燥速率？受哪些因素的影响？

4.在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要（）。A、慢B、快C、相等D、无法比较

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  • 第1题：

    过饱和度只影响晶核形成快慢，不影响晶体成长过程快慢。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    以下哪些因素会影响测试速率？（）

    • A、终端故障
    • B、传输受限
    • C、SINR差
    • D、CQI低

    正确答案:A,B,C,D

  • 第3题：

    在结晶过程中，杂质对晶体成长速率（）。

    • A、有抑制作用
    • B、有促进作用
    • C、有的有A作用，有的有B作用
    • D、没有影响

    正确答案:C

  • 第4题：

    固态相变速率与哪些因素有关？


    正确答案:固态相变速率取决于新相的形核率和长大速率。

  • 第5题：

    USB接口给出的通信速率是信号线的物理传输速率，有效数据速率要低一些，哪些因素影响了有效数据传输速率？


    正确答案: 首先，USB支持四种数据传输模式：控制传输，等时传输，中断传输及数据块传输，并且USB接口采用半双工传输方式。一个USB连接只能使用USB规定的传输模式。每一种传输模式都有一个最高传输速率，实际的传输速率不可能超过该最高传输速率。
    在USB传输的信息中还携带有状态、控制和差错校验信息，这些信息的传输需要占用一部分传输带宽资源。另外，USB在传输线路上采用NRZI编码，这会增加信息传输位数。

  • 第6题：

    试述杂质对晶体生长速率的影响途径。


    正确答案:⑴通过改变溶液的组成或平衡饱和浓度，改变晶体与溶液之间界面上液层的特性，影响溶质长入晶面。
    ⑵杂质本身在晶面上吸附，产生阻挡作用。
    ⑶如结构与晶格有相似之处，杂质有可能长入晶体内；晶体生长过快产生晶体缺陷和位错时，晶格不同也可能产生吸藏现象。

  • 第7题：

    业务信道的干扰余量受以下哪些因素的影响（　）

    • A、BLER
    • B、边缘用户分配的RB数
    • C、MCS
    • D、边缘用户速率

    正确答案:B,C,D

  • 第8题：

    多选题
    业务信道的干扰余量受以下哪些因素的影响（）。
    A

    BLER

    B

    边缘用户分配的RB数

    C

    MCS

    D

    边缘用户速率


    正确答案： D,B
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    技术结晶的基本规律是什么？晶核的形核率和生长速率受到哪些因素的影响？

    正确答案： 金属结晶的基本规律是形核与长大。
    受到过冷度的影响，随着过冷度的增大，晶核的形核率和成长率都增大，但形成率的增长率比成长率的增长快；同时外来难溶杂质以及振动和搅拌的方法也会增大形核率。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    速率理论的简式， 影响板高的是哪些因素？

    正确答案： 速率理论的简式：H=A+B/u+C·u 影响板高因素：
    μ：流动相的线速，A：涡流扩散系数，B：分子扩散系数，C://传质阻力项系数
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。

    正确答案： 受抑制,已生成的晶体,大晶体
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    在低温结晶时，晶体成长速率主要受（）控制。
    A

    扩散过程

    B

    表面反应过程

    C

    传热过程

    D

    三者共同


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体的缺陷对晶体材料的性质有很大的影响。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    干燥速率与哪些因素有关？


    正确答案:自身性质、物料的含水特性、干燥条件、干燥的操作水平和临界湿度

  • 第15题：

    下列哪个因素不能影响晶体成长速率（）

    • A、温度
    • B、压力
    • C、晶体大小
    • D、杂质

    正确答案:B

  • 第16题：

    影响多晶体衍射强度各因子的物理意义是什么？结构因子与哪些因素有关系？


    正确答案:多重性因子、结构因子、角因子、温度因子和吸收因子。
    结构因子只与原子在晶胞中的位置有关，而不受晶胞的形状和大小的影响。

  • 第17题：

    晶体振荡器的频率稳定度主要受哪些因素的影响（）。

    • A、负载效应
    • B、推频效应
    • C、温度效应
    • D、气压效应

    正确答案:A,B,C

  • 第18题：

    结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。


    正确答案:受抑制；已生成的晶体；大晶体

  • 第19题：

    影响干燥速率的食品性质有哪些？他们如何影响干燥速率？


    正确答案: （1）表面积：水分子从食品内部行走的距离决定了食品被干燥的快慢。小颗粒，薄片易干燥，快。
    （2）组分定向：水分在食品内的转移在不同方向上差别很大，这取决于食品组分的定向。
    （3）细胞结构：细胞结构间的水分比细胞内的水更容易除去。
    （4）溶质的类型和浓度：溶质与水相互作用，抑制水分子迁移，降低水分转移速率，干燥慢。

  • 第20题：

    问答题
    影响多晶体衍射强度各因子的物理意义是什么？结构因子与哪些因素有关系？

    正确答案： 多重性因子、结构因子、角因子、温度因子和吸收因子。
    结构因子只与原子在晶胞中的位置有关，而不受晶胞的形状和大小的影响。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    金属结晶的基本规律是什么？核的形成率和成长率受到哪些因素的影响？

    正确答案： 结晶的基本过程——晶核形成与晶核长大
    结晶时的冷却速度（即过冷度）随着过冷度的增大，晶核的形成率和成长率都增大，但形成率的增长比成长率的增长快，同时液体金属中难熔杂质以及振动和搅拌的方法也会增大形核率
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    简述化学机械平坦化的工作原理。它的抛光速率受哪些因素的影响？

    正确答案： CMP是利用wafer和抛光头之间的运动来平坦化wafer表面的，通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得平坦的wafer表面。
    CMP的抛光速率受施加的压力、wafer与抛光垫之间的相对速度、氧化硅的硬度、磨料以及抛光垫等参数的影响。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    试述杂质对晶体生长速率的影响途径。

    正确答案： ⑴通过改变溶液的组成或平衡饱和浓度，改变晶体与溶液之间界面上液层的特性，影响溶质长入晶面。
    ⑵杂质本身在晶面上吸附，产生阻挡作用。
    ⑶如结构与晶格有相似之处，杂质有可能长入晶体内；晶体生长过快产生晶体缺陷和位错时，晶格不同也可能产生吸藏现象。
    解析： 暂无解析

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