实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A、光刻B、刻蚀C、氧化D、溅射

题目

实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。

  • A、光刻
  • B、刻蚀
  • C、氧化
  • D、溅射
相似考题

1.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

2.反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

3.有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻

4.铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

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  • 第1题：

    试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


    正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
    2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。

  • 第2题：

    光刻和刻蚀的目的是什么？


    正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

  • 第3题：

    在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

    • A、刻蚀
    • B、氧化
    • C、淀积
    • D、光刻

    正确答案:D

  • 第4题：

    集成电路（IC）工厂建设的设计核心是（）。

    • A、防微振技术
    • B、微污染控制技术
    • C、防噪声技术
    • D、恒温恒湿技术

    正确答案:B

  • 第5题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？

    正确答案： 需要六次光刻
    第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
    第二次—P+隔离扩散孔光刻；
    第三次—P型基区扩散孔光刻；
    第四次—N+发射区扩散孔光刻；
    第五次—引线接触孔光刻；
    第六次—金属化内连线光刻。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    填空题
    常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

    正确答案： 涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,腐蚀,去胶
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）
    A

    扩散

    B

    化学机械抛光

    C

    刻蚀

    D

    离子注入


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
    A

    光刻

    B

    刻蚀

    C

    氧化

    D

    溅射


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工，而离子刻蚀加工主要是通过（）效应对工件进行加工。
    A

    撞击

    B

    溅射

    C

    注入

    D

    撞击、溅射


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

    正确答案： 三束加工技术,牺牲层技术,外延生长技术
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    离子束加工技术利用注入效应加工的是（）
    A

    离子束刻蚀

    B

    溅射镀膜

    C

    离子镀

    D

    离子注入


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第14题：

    单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

    • A、氮化硅
    • B、二氧化硅
    • C、光刻胶
    • D、多晶硅

    正确答案:B

  • 第15题：

    微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。


    正确答案:超微机械加工；封接技术；分子装配技术

  • 第16题：

    问答题
    二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

    正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    单选题
    微传感器的加工工艺不包括（）。
    A

    光刻技术

    B

    HARQ技术

    C

    半导体掺杂技术

    D

    LIGA技术


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    填空题
    光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。

    正确答案： 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。
    A

    刻蚀

    B

    离子注入

    C

    光刻

    D

    金属化


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    光刻和刻蚀的目的是什么？

    正确答案： 光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

    正确答案： 离子注入
    解析： 暂无解析

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