参考答案和解析
正确答案: SRAM用由6管构成的触发器作为基本电路,不需要刷新电路,而且易于用电池作后备电源。DRAM是利用电容的记忆功能保存信息,由于电容存在漏电电流,即使电源不掉电,电荷会随着电容放电而泄露,从而导致信息丢失,所以需要刷新。
与SRAM相比,DRAM的主要优点是集成度高、功耗小、价格低。而不足之处是与CPU的接口电路比较复杂,有两个问题要解决:一个是上面所讲的刷新问题,另一个是地址信号的输入问题。DRAM一般用于组成大容量的内存系统。
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  • 第1题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,哪两个叙述是错误的?

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:B
    解析:DRAM(Dynamic RAM),是动态随机存储器。SRAM(静态RAM),是静态随机存取存储器(Static RAM),且工作时需要刷新,故Ⅳ错,无论是集成度还是生产成本,DRAM都更具优势,故Ⅱ错。所以应选B。

  • 第2题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

    Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单

    Ⅱ.DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ.DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:B
    解析:本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的,该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程,只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容充电至高电平为“1”,放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏,需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容,这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂,制造成本高,速度也要快。正确答案为选项B。

  • 第3题:

    DRAM与SRAM比较:()

    A、DRAM比SRAM速度快

    B、DRAM比SRAM价格低

    C、DRAM比SRAM较容易使用


    参考答案:B

  • 第4题:

    PC中既使用ROM,也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中,正确的是( )。

    A.SRAM和DRAM都是RAM,芯片掉电后,存放在SRAM和DRAM芯片中的内容都会丢失

    B.PC中CMOS RAM中的信息,在PC关机后一般也会丢失

    C.由于SRAM的速度比DRAM的慢,因此,在PC中,DRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由SRAM组成

    D.ROM和SRAM及DRAM都是半导体存储器,因此,现常用ROM代替RAM来存放原来存放在CMOS RAM中的信息


    正确答案:A

  • 第5题:

    SRAM和DRAM的区别?()

    A.SRAM比DRAM功耗高

    B.SRAM比DRAM成本高

    C.SRAM比DRAM速度快

    D.SRAM比DRAM散热大


    参考答案:ABCD

  • 第6题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是()。

    A.Ⅰ和Ⅱ
    B.Ⅱ和Ⅲ
    C.Ⅲ和Ⅳ
    D.Ⅰ和Ⅳ

    答案:B
    解析:
    DRAM的集成度高于SRAM,SRAM的速度高于DRAM,可以推出DRAM的成本低于SRAM,SRAM芯片工作时不需要刷新,DRAM芯片工作时需要刷新。

  • 第7题:

    从存储机理、芯片结构和应用三个方面比较SRAM和DRAM。


    正确答案: SRAM的存储机理:存储电路由多个MOS管组成的双稳态触发器为核心,在不掉电的情况下可保持一个逻辑“0”或一个逻辑“1”的状态。
    DRAM的存储机理:MOS管加电容器动态存储电路,其记忆信息的机理是依靠电容器存储电荷的状态,电容器有电荷时为逻辑“1”,没有电荷时为逻辑“0”。
    SRAM的芯片结构:芯片内部包括由触发器构成的存储阵列、以及地址译码器、存储控制逻辑和I/O缓冲器组成。
    DRAM的芯片结构:芯片内部包括由MOS管和电容器构成的存储矩阵、读写控制和刷新控制电路、I/O缓冲器构成。其中,存储阵列为多页面结构,地址线为行地址和列地址分别传送,由行选通信号(RAS)和列选通信号(CAS)控制。
    应用方面:DRAM比SRA
    M集成度高、功耗低,从而成本也低,适合于做大容量存储器,主存通常采用DRAM;SRAM通常被用作高速缓冲存储器(Cache)。

  • 第8题:

    简述SRAM和DRAM的各自特点。


    正确答案: DRAM的基本存储电路采用4管型、3管型和单管型,单管型因集成度高而被广泛使用。DRAM的信息以电荷形式存于MOS管的极间电容上,由于电容泄漏电流的存在,电荷流失因而导致信息消失,为此必须每隔一定时间(2-8MS)以内进行刷新,DRAM的基本存储单元简单,故集成度高功耗小。但RAM的周期性刷新工作需要外部电路的支持。
    DRAM一般用于组成大容量、高速的RAM存储器,S.RAM基本存储单元由6只MOS管组成。这种存储电路的读出是非破坏性的,数据读出后原单元信息仍保持不变。不需另加刷新,简化了外部电路。由于SRAM基本存储电路所含管子数目多因而集成度略低,多选用在小系统计算机中。

  • 第9题:

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对()

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第10题:

    以下关于SRAM和DRAM的区别描述中,()是不对的。

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRAM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第11题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第12题:

    SRAM和DRAM的区别?()

    • A、SRAM比DRAM功耗高
    • B、SRAM比DRAM成本高
    • C、SRAM比DRAM速度快
    • D、SRAM比DRAM散热大

    正确答案:A,B,C,D

  • 第13题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D
    解析:该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM),即动态随机存储器,需要用恒电流以保存信息,一断电,信息即丢失,它的存取速度不是很快;SRAM (静态RAM),即静态随机存取存储器(Static RAM),随机存取存储器的一种,数据存入静态RAM后,只要电源维持不变,其中存储的数据就能够一直维持不变,不需要定时刷新。与动态RAM比,静态RAM的读写速度要快,但由于每个存储单元的结构更复杂,集成度也较低,所以应该选择D。

  • 第14题:

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

    Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ.SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:B
    解析:SRAM的工作速度快(如2ns):不需要刷新电路,因此使用简单:在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出);但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息,而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息),功能较大,制造成本高,价格贵。选项B正确。

  • 第15题:

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D

  • 第16题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D

  • 第17题:

    以下关于SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)的说法中,正确的是( )。

    A.SRAM的内容是不变的,DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失,SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的,DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的,但DRAM的内容需要定期刷新


    正确答案:D

  • 第18题:

    简述DRAM和SRAM的异同。


    正确答案: (1)都是内存,都具有内存的共同特征。
    (2)DRAM是动态随机存储器,集成度高,价格低,需要周期性刷新,存取速度慢,用作主存。
    (3)SRAM是静态随机存储器,集成度低,价格高,不需要周期性刷新,存取速度快,用作cache。

  • 第19题:

    以下关于DRAM和SRAM说法正确的是()

    • A、DRAM具有双稳态特性
    • B、SRAM将每个位存储为对一个电容的充电
    • C、DRAM主要用于主存,帧缓冲区
    • D、SRAM对干扰非常敏感

    正确答案:C

  • 第20题:

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对的。()

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第21题:

    SRAM和DRAM均为RAM存储器,二者的容量与读写速度为()

    • A、SRAM有极高的读写速度及大容量
    • B、DRAM有极高的读写速度及大容量
    • C、SRAM有极高的读写速度,DRAM有更大的容量
    • D、DRAM有极高的读写速度,SRAM有更大的容量

    正确答案:C

  • 第22题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第23题:

    关于SRAM和DRAM,下面说法正确的是()。

    • A、SRAM需要定时刷新,否则数据会丢失
    • B、DRAM使用内部电容来保存信息
    • C、SRAM的集成度高于DRAM
    • D、只要不掉点,DRAM内的数据不会丢失

    正确答案:B