更多“下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法?()A、集中刷新方式B、分散刷新方式C、同步刷新方式D、异步刷新方式”相关问题
  • 第1题:

    动态存储器,DRAM的三种刷新方式是()。

    A.集中刷新
    B.分散刷新
    C.同步刷新
    D.异步式刷新

    答案:A,B,D
    解析:
    ①集中式--正常读/写操作与刷新操作分开进行,刷新集中完成。特点:存在一段停止读/写操作的死时间,适用于高速存储器②分散式--将一个存储系统周期分成两个时间片,分时进行正常读/写操作和刷新操作。特点:不存在停止读/写操作的死时间但系统运行速度降低。③异步式--前两种方式的结合,每隔一段时间刷新一次,保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第2题:

    动态RAM为什么要刷新?一般有几种刷新方式?各有什么优缺点?


    正确答案:DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的,由于电容上的电荷会随着时间的推移被逐渐泄放掉,因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷,这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响,系统的存取速度比较高;但有死区,而且存储容量越大,死区就越长。分散方式的特点是没有死区;但它加长了系统的存取周期,降低了整机的速度,且刷新过于频繁,没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区,但比集中方式的死区小得多,而且减少了刷新次数,是比较实用的一种刷新方式。

  • 第3题:

    动态RAM为何要刷新?如何刷新?


    正确答案: 因为动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的,而电容回逐渐放电,所以动态RAM要刷新;
    可以通过对动态RAM不断地进行读出和写入,以使泄放的电荷得到补充,来完成刷新。

  • 第4题:

    DRAM存储器采用何种方式刷新?有哪几种常用的刷新方式?


    正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷,并保持原单元的内容,所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种:集中式、分散式、异步式。

  • 第5题:

    下列哪一种刷新方式具有不存在死时间,刷新占用时间少的特点()

    • A、集中式
    • B、分散式
    • C、异步刷新
    • D、同步刷新

    正确答案:C

  • 第6题:

    动态RAM需要经常刷新的理由是什么?微机系统如何进行动态RAM的刷新?


    正确答案: 动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的,由于电容会泄漏放电,所以,为保持电容中的电荷不丢失,必须对动态RAM不断进行刷新。
    D.RAM的刷新常采用两种方法:一是利用专门的DRAM控制器实现刷新控制,如Intel8203控制器;二是在每个DRAM芯片上集成刷新控制电路,使存储器件自身完成刷新,如Intel2186/2187。

  • 第7题:

    有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?


    正确答案:1)(64K×16)/(16K×1)=(216×24)/(214)=220/214=26=64片
    2)2ms÷128=15.625μs
    3)128×500ns=64μs

  • 第8题:

    DRAM存储器为什么要刷新?有几种刷新方式?


    正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的,电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充,时间一长,信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电,按需要补给栅极电容的信息电荷,此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行,刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片,分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合,每隔一段时间刷新一次,保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第9题:

    多选题
    下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法?()
    A

    集中刷新方式

    B

    分散刷新方式

    C

    同步刷新方式

    D

    异步刷新方式


    正确答案: D,C
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

    正确答案: 1)(64K×16)/(16K×1)=(216×24)/(214)=220/214=26=64片
    2)2ms÷128=15.625μs
    3)128×500ns=64μs
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    动态RAM为什么要刷新?一般有几种刷新方式?各有什么优缺点?

    正确答案: DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的,由于电容上的电荷会随着时间的推移被逐渐泄放掉,因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷,这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响,系统的存取速度比较高;但有死区,而且存储容量越大,死区就越长。分散方式的特点是没有死区;但它加长了系统的存取周期,降低了整机的速度,且刷新过于频繁,没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区,但比集中方式的死区小得多,而且减少了刷新次数,是比较实用的一种刷新方式。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    DRAM存储器采用何种方式刷新?有哪几种常用的刷新方式?

    正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷,并保持原单元的内容,所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种:集中式、分散式、异步式。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    什么是刷新?为什么要刷新?有哪几种常用的刷新方式?
    对动态存储器要每隔一定时间(通常是2ms)给全部基本存储元的存储电容补充一次电荷,称为RAM的刷新,2ms是刷新间隔时间。
    由于存放信息的电荷会有泄漏,动态存储器的电荷不能象静态存储器电路那样,由电源经负载管源源不断地补充,时间一长,就会丢失信息,所以必须刷新。
    常用的刷新方式有两种:集中式刷新、分布式刷新。

  • 第14题:

    简述刷新控制器协调刷新和CPU正常访问的方式。


    正确答案:刷新控制器的控制方式通常有三种。第一种是异步控制方式, CPU访问存储器的请求和刷新请求相互独立,刷新控制器以“先入为主”的原则为它们服务,当二者同时请求时,以刷新优先,因为不及时刷新将会导致信息丢失。用这种方式,CPU应允许等待。第二种是同步控制方式,刷新请求是CPU访问的“非”,即CPU不访问存储器的时间进行刷新。显然,这种方式要求CPU应有确定的不访问存储器的时间,以保证刷新的周期性。第三种是半同步控制方式,即建立一个时钟信号,用时钟信号的上升沿、下降沿来同步CPU的访问和刷新。

  • 第15题:

    PLC是通过循环工作方式来完成控制的,每一个循环(周期)按次序分为三个阶段,即(),这种工作方式称为扫描工作方式。

    • A、输入采样、程序执行、输出刷新
    • B、输入采样、输出刷新、程序执行
    • C、输出刷新、程序执行、输入采样
    • D、输出刷新、输入采样、程序执行

    正确答案:A

  • 第16题:

    一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?


    正确答案: 采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms,其中刷新死时间为:256×0.1μs=25.6μs
    采用分散刷新方式刷新间隔为:256×(0.1μs+×0.1μs)=51.2μs
    采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms

  • 第17题:

    动态RAM需要进行刷新操作,而静态RAM不需要进行刷新操作。


    正确答案:正确

  • 第18题:

    动态RAM为什么需要经常刷新?微机系统如何进行动态RAM的刷新?


    正确答案: 动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的,由于电容会泄漏放电,所以,为保持电容中的电荷不丢失,必须对动态RAM不断进行刷新。
    DRAM的刷新常采用两种方法:一是利用专门的DRAM控制器实现刷新控制,如Intel8203控制器;二是在每个DRAM芯片上集成刷新控制电路,使存储器件自身完成刷新,如Intel2186/2187。

  • 第19题:

    动态RAM芯片2164的容量为64K位(256×256),对2164芯片的刷新方法是()。

    • A、每次刷新1个单元
    • B、每次刷新256个单元
    • C、每次刷新512个单元
    • D、一次刷新全部单元

    正确答案:C

  • 第20题:

    问答题
    一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

    正确答案: 采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms,其中刷新死时间为:256×0.1μs=25.6μs
    采用分散刷新方式刷新间隔为:256×(0.1μs+×0.1μs)=51.2μs
    采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    动态RAM芯片2164的容量为64K位(256×256),对2164芯片的刷新方法是()。
    A

    每次刷新1个单元

    B

    每次刷新256个单元

    C

    每次刷新512个单元

    D

    一次刷新全部单元


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    什么是刷新?为什么要刷新?有哪几种常用的刷新方式?

    正确答案: 对动态存储器要每隔一定时间(通常是2ms)给全部基本存储元的存储电容补充一次电荷,称为RAM的刷新,2ms是刷新间隔时间。
    由于存放信息的电荷会有泄漏,动态存储器的电荷不能象静态存储器电路那样,由电源经负载管源源不断地补充,时间一长,就会丢失信息,所以必须刷新。
    常用的刷新方式有两种:集中式刷新、分布式刷新。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    下列哪一种刷新方式具有不存在死时间,刷新占用时间少的特点()
    A

    集中式

    B

    分散式

    C

    异步刷新

    D

    同步刷新


    正确答案: C
    解析: 暂无解析