内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）

题目

内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）

相似考题

1.在诊断X线能量范围内，使病人接受照射量最多的是A、相干散射B、光电效应C、光核反应D、电子对效应E、康普顿效应

2.在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )。A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电发射D. 光导效应

3.光电管是利用物质在光的照射下发射电子的()而制成的光电器件。A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电导效应D. 光生伏特效应

4.光敏晶体管是利用物质在光的照射下电导性能改变或产生()而制成的光电器件。A、外光电效应B、光电导效应C、光生伏特效应

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  • 第1题：

    光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫()

    A、内光电效应

    B、外光电现象

    C、热电效应

    D、光生伏特效应


    参考答案：A

  • 第2题：

    受光照射的物质在一定方向产生电势的现象叫（）

    • A、外光电效应
    • B、光生伏特效应
    • C、内光电效应
    • D、光电磁效应

    正确答案:B

  • 第3题：

    在光的照射下，材料的导电性增加，而电阻下降的现象叫内光电效应。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    什么叫内光电效应、外光电效应、光生伏特效应？ 


    正确答案:在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。当光照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象称为内光电效应，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应（光伏效应）。光生伏特效应是在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。

  • 第5题：

    在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。


    正确答案:光电导效应；光生伏特效应

  • 第6题：

    多选题
    以下有关光电效应的说法中正确的是（）
    A

    照射到金属上的光，只要其频率大于金属的极限频率，就会发生光电效应

    B

    光电子是光子与电子结合后生成的

    C

    光电子的初动能与照射光的频率有关，而与光的强度无关

    D

    光电效应中单位时间逸出的光电子数主要取决于照射到金属上光的强度


    正确答案： D,B
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    多选题
    在光电效应的实验中，要使光电管的饱和光电流增大，可以采取的措施是（　　）．
    A

    提高照射光的频率

    B

    增大照射光的强度

    C

    增大照射光的波长

    D

    延长照射光的时间


    正确答案： D,A
    解析：
    光电流是电子流，等于每秒被激发出的光电子的个数．影响光电流u的是入射光子数量（但这些光子的频率要不小于极限频率）．宏观上的表现为光强度．初动能只影响打出光子的能量，不影响数量．同频率下的饱和光电电流强度和光强度成正比，但同光强不同频率（高于极限频率）时量子效率（相同时间内激发出的光电子和到金属表面的光电子的数目之比）不同．因当光电流增大时，即在相同时间内通过同一截面的电子数增多，所以只有增大照射光的强度．

  • 第8题：

    单选题
    光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（）效应。
    A

    光电导效应；

    B

    光生伏特效应；

    C

    内光电效应；

    D

    光电发射。


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    氧化铅光导摄像管的叙述，哪组是错误的？（）
    A

    它的工作原理与光导摄像管大致相同

    B

    半导体材料薄层，其导电率取决于内光电效应

    C

    将光影像转换为相应的电脉冲

    D

    电子束取自傍热式阴极

    E

    阴极大约200V的正电位


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    光敏电阻是（）器件，属于（）
    A

    光电导器件，外光电效应

    B

    光电发射器件，外光电效应

    C

    光生伏特器件，内光电效应

    D

    光电导器件，内光电效应


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）
    A

    外光电效应

    B

    光电发射

    C

    内光电效应

    D

    光生伏特效应


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    半导体材料发生光电效应，对入射光的频率有什么要求？


    正确答案:入射光频率大于截止频率。

  • 第14题：

    在光线作用下，半导体电导率改变的现象属于（）.

    • A、外光电效应
    • B、内光电效应
    • C、光电发射
    • D、光生伏特效应

    正确答案:B

  • 第15题：

    在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象称为外光电效应。（）


    正确答案:错误

  • 第16题：

    在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。

    • A、外光电效应
    • B、内光电效应
    • C、光电发射
    • D、光导效应

    正确答案:B,D

  • 第17题：

    半导体内光电效应与光强和光频率的关系是什么？


    正确答案: 每种半导体材料产生内光电效应有一个临界光波长的限制，只有小于临界光波长的光才能使该半导体产生内光电效应。随着照射光强度的增加，内光电效应增强。

  • 第18题：

    单选题
    （）是半导体光电子材料中发生的一种外光电效应。
    A

    光电导

    B

    光生伏特效应

    C

    光电子发射


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    半导体内光电效应与光强和光频率的关系是什么？

    正确答案： 每种半导体材料产生内光电效应有一个临界光波长的限制，只有小于临界光波长的光才能使该半导体产生内光电效应。随着照射光强度的增加，内光电效应增强。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    光敏电阻的制作依据是（）
    A

    外光电效应

    B

    光电倍增效应

    C

    内光电效应

    D

    光生伏特效应


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（）
    A

    光电效应

    B

    光电导现象

    C

    热电效应

    D

    光生伏特现象


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象称为外光电效应。（）
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。
    A

    外光电效应

    B

    内光电效应

    C

    光电发射

    D

    光导效应


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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