造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有（）、集电结空间电荷限制的效应、（）。A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应

题目

造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有（）、集电结空间电荷限制的效应、（）。

  • A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应
  • B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应
  • C、基区电导调制效应，基区有偏压效应
  • D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
相似考题

1.光敏晶体管是利用物质在光的照射下电导性能改变或产生()而制成的光电器件。A、外光电效应B、光电导效应C、光生伏特效应

2.在大注入的条件下,半导体的电阻率实际上大大下降,电导率大大增加,这种现象被称为电导调制效应。()

3.在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )。A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电发射D. 光导效应

4.零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。()

更多“造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有（）、集电结空间电荷限制的效应、（）。A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应”相关问题

  • 第1题：

    由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。

    A、擎住效应

    B、二次击穿

    C、雪崩击穿

    D、电导调制效应


    参考答案：D

  • 第2题：

    热电偶测温的原理是依据（）。

    • A、电解效应
    • B、电离效应
    • C、热电效应
    • D、电导效应

    正确答案:C

  • 第3题：

    由于导线中通过电流，周围将有磁场，表明导线存在（）。

    • A、分布电容效应
    • B、分布电感效应
    • C、分布电导效应

    正确答案:B

  • 第4题：

    造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）

    • A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应
    • B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应
    • C、基区电导调制效应，基区有偏压效应
    • D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应

    正确答案:C

  • 第5题：

    光敏电阻的工作原理是基于（）。

    • A、外光电效应
    • B、光电导效应
    • C、光伏效应
    • D、热敏效应

    正确答案:B

  • 第6题：

    在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。

    • A、外光电效应
    • B、内光电效应
    • C、光电发射
    • D、光导效应

    正确答案:B,D

  • 第7题：

    外光电效应分为光电导效应和光生伏特效应。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    为什么IGBT是电导调制性场效应管？


    正确答案: IGBT的开通和关断由栅极控制。当栅极施以正电压时，在栅极下的P区内形成N沟道，它连通了源区和漂移区，为PNP晶体管提供了基流，从而使IGBT导通。此时，从P+区注如到N-区的空穴对N-区进行电导调制，减小N-区的电阻Rdr（GTR厚基区内的扩展电阻），使高耐压的IGBT也具有与GTR相当的低通态压降。所以可认为IGBT是电导调制性场效应管。

  • 第9题：

    名词解释题
    沟道电导调制效应

    正确答案： 沟道电导随栅极电压的变化过程。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    当半导体材料受到光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率的变化，这种现象称为（）
    A

    光伏效应；

    B

    光电导效应；

    C

    光电发射效应；

    D

    光热效应。


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    光敏电阻是（）器件，属于（）
    A

    光电导器件，外光电效应

    B

    光电发射器件，外光电效应

    C

    光生伏特器件，内光电效应

    D

    光电导器件，内光电效应


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。
    A

    外光电效应

    B

    内光电效应

    C

    光电发射

    D

    光导效应


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。

    A、电导调制效应

    B、正的温度系数

    C、负的温度系数

    D、擎住效应


    参考答案：B

  • 第14题：

    以下关于交变电流趋肤效应的叙述，正确的是：（）

    • A、材料的电导率增加，趋肤效应更明显
    • B、材料的相对磁导率增加，趋肤效应更明显
    • C、交流电电流增大，趋肤效应更明显
    • D、交流电频率提高，趋肤效应更明显

    正确答案:A,B,D

  • 第15题：

    当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。

    • A、增大基区掺杂浓度
    • B、减小基区宽度
    • C、减小发射结面积
    • D、增大集电区杂质浓度

    正确答案:D

  • 第16题：

    在光线作用下，半导体电导率改变的现象属于（）.

    • A、外光电效应
    • B、内光电效应
    • C、光电发射
    • D、光生伏特效应

    正确答案:B

  • 第17题：

    何谓外光电效应，光电导效应和光生伏特效应？


    正确答案:外光电效应：在光照条件下电子从物体表面逸出而产生光电子发射的现象。
    光电导效应：半导体受到光照时产生光生电子—空穴对，进而使电阻率变化，使导电性能增强的现象。
    光生伏特效应：光照引起PN结两端产生电动势的效应。

  • 第18题：

    结型场效应管放大电路的偏置方式是（）

    • A、自给偏压电路
    • B、外加偏压电路
    • C、无须偏置电路
    • D、栅极分压与源极自偏结合

    正确答案:A,D

  • 第19题：

    光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    填空题
    光电导效应是（）效应。是目前应用最为广泛的一种光子效应，只发生在某些（）材料中，（）材料没有光电导效应。

    正确答案： 内光电,半导体,金属材料
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    （）电导具有霍尔效应，离子电导具有电解效应，从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的（）。

    正确答案： 电子,类型
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。

    正确答案： 变宽,变窄,增大,即厄尔利效应
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    名词解释题
    基区宽度调制效应

    正确答案： 随C-E结电压或C-B结电压的变化，中性基区宽度的变化。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）
    A

    外光电效应

    B

    光电发射

    C

    内光电效应

    D

    光生伏特效应


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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