三极管的集电区面积比发射区面积（）。A、大B、相等C、小D、不确定
题目
三极管的集电区面积比发射区面积（）。
- A、大
- B、相等
- C、小
- D、不确定
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第1题：
PNP三极管工作特点是（）.
- A、发射区发射电子，集电区收集电子
- B、发射区发射空穴，集电区收集电子
- C、发射区发射电子，集电区收集空穴
- D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
正确答案:D -
第2题：
三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
正确答案:错误 -
第3题：
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。
- A、基区
- B、集电区
- C、发射区
- D、饱和区
正确答案:C -
第4题：
三极管具有（）的特点。
- A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
- B、基区非常薄
- C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大
- D、以上三项
正确答案:D -
第5题：
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。
- A、基区
- B、发射区
- C、集电区
- D、发射区和集电区
正确答案:A -
第6题：
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。
- A、发射区向基区注入载流子过程
- B、少数载流子，在基区扩散与复合过程
- C、集电区收集载流子的过程
- D、基区向发射区注入载流子过程
正确答案:A,B,C -
第7题：
切削面积相等时，切削宽度越大，切削力越。（）
- A、大
- B、小
- C、不变
- D、不确定
正确答案:A -
第8题：
三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
正确答案:发射；收集 -
第9题：
以下属于三极管放大的外部条件是（）
- A、发射区掺杂浓度高
- B、集电结反偏
- C、基区薄且掺杂浓度低
- D、集电结面积大
正确答案:B -
第10题：
半导体三极管工作过程中（）。
- A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；
- B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；
- C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；
- D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
正确答案:A -
第11题：
单选题在采光计算中，考虑到方向性的影响，朝南的窗口面积要比朝北的窗口面积（）A大
B相等
C小
D不确定
正确答案： C解析： 《建筑采光设计标准》第5.0.2中第1、2条之注1和附录D表D-3，朝北窗口的晴天方向系数值为1，其他方向的晴天方向系数都大于1，朝南最大，所以，考虑到晴天方向的影响，朝南的窗口要比朝北的窗口面积小。 -
第12题：
填空题晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.正确答案： 两解析： 暂无解析 -
第13题：
三极管的集电区面积比发射区面积（）。
- A、大
- B、相等
- C、小
- D、不确定
正确答案:A -
第14题：
在采光计算中，考虑到方向性的影响，朝南的窗口面积要比朝北的窗口面积（）
- A、大
- B、相等
- C、小
- D、不确定
正确答案:C -
第15题：
氨蒸发器A蒸发面积比氨蒸发器B的蒸发面积（）。
- A、大
- B、小
- C、一样大
- D、不确定
正确答案:A -
第16题：
晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
正确答案:两 -
第17题：
下列关于晶体三极管说法证确的是（）。
- A、发射区与基区交界处的PN结为发射结
- B、基区与集电区交界处的PN结为发射结
- C、发射区与基区交界处的PN结为集电结
- D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
正确答案:A -
第18题：
晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。
- A、发射区
- B、基区
- C、集电区
- D、放大区
正确答案:A,B,C -
第19题：
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
正确答案:正确 -
第20题：
三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
正确答案:PNP;NPN;集电;发射 -
第21题：
三极管最薄的区是（）。
- A、发射区
- B、集电区
- C、基区
正确答案:C -
第22题：
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
正确答案:错误 -
第23题：
单选题GIS变电站通常比常规变电站的占地面积（）。A大
B小
C相等
D不确定
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第24题：
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析