斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。

题目

斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。

相似考题

1.关于声场的特性，下述正确的是A、近场区长度与探头半径和频率成正比B、近场区横向分辨率低于远场区C、近场区声束呈喇叭形D、近场区横断面上能量分布基本均匀E、远场区声束直径小于近场区

2.纵波声场存在近场区，横波声场不存在近场区。

3.其它条件相同时，钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。

4.关于声场的特性，下述正确的是A.近场区长度与探头半径和频率成正比 B.近场区横向分辨率低于远场区 C.近场区声束呈喇叭形 D.近场区横断面上能量分布基本均匀 E.远场区声束直径小于近场区

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  • 第1题：

    在超声场中，（）声压随距离增加单调减少。

    • A、 近场区
    • B、 远场区
    • C、 盲区
    • D、 未扩散区

    正确答案:B

  • 第2题：

    固体介质中的脉冲波声场的近场区，其声压极值点数量较理想声场（），且极大极小值幅度差异（）。


    正确答案:减少；缩小

  • 第3题：

    什么是超声场的近场区和近场区长度？为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量？


    正确答案: （1） 波源附近由于波的干涉而出现一系列声压极大极小值的区域，称为超声场的近场区。波源线上最后一个声压极大值处至波源的距离称为近场区长度。用N表示
    （2）在近场区检测定量是不利的，处于声压极小值处的较大缺陷回波可能较低，而处于声压极大值处的较小缺陷回波可能较高，这样就可能引起误判， 甚至漏检，因此应尽可能避免在近场区内检测定量。

  • 第4题：

    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 

    • A、 增大
    • B、 不变
    • C、 减小
    • D、 都有可能

    正确答案:C

  • 第5题：

    直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：（）。


    正确答案:N=D2/4λ-L1c1/c2

  • 第6题：

    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。


    正确答案:缩短

  • 第7题：

    近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    判断题
    纵波声场存在近场区，横波声场不存在近场区。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。
    A

     增大

    B

     不变

    C

     减小

    D

     都有可能


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    其它条件相同时，钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    超声场的近场区长度与波源面积及波长的关系（）。

    • A、 近场区长度与波源面积及波长成正比
    • B、 近场区长度与波源面积及波长成反比
    • C、 近场区长度与波源面积成正比，与波长成反比
    • D、 近场区长度与频率成正比，与波源面积成反比

    正确答案:C

  • 第14题：

    横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    超声场可分为近场区和远场区，波源轴线上最后一个声压极大值的位置至波源的距离称为超声场的近场区长度。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    固体介质中脉冲波声场的近场区其声压极值点数量较理想声场（），且极大极小值幅度（）。


    正确答案:减少；差异缩小

  • 第17题：

    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而缩短。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。


    正确答案:变小

  • 第19题：

    简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。


    正确答案: 由于钢中横波折射角总大于有机玻璃中的纵波入射角，因此，斜探头晶片的有效面积Ae总是小于晶片的实际面积A，这样用相同尺寸的晶片制作的探头，K值越大，其近场区“N”值就越小。

  • 第20题：

    邻近压电芯片的超声场为近场，其长度在频率给定时，随芯片直径增加而（）。

    • A、扩散
    • B、增大
    • C、不变
    • D、减小

    正确答案:B

  • 第21题：

    问答题
    简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。

    正确答案： 由于钢中横波折射角总大于有机玻璃中的纵波入射角，因此，斜探头晶片的有效面积Ae总是小于晶片的实际面积A，这样用相同尺寸的晶片制作的探头，K值越大，其近场区“N”值就越小。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）
    A

    K值增大时，近场区长度不变

    B

    K值增大时，近场区长度增大

    C

    K值增大时，近场区长度减小

    D

    K值与近场区长度无关


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是超声场的近场区和近场区长度？为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量？

    正确答案： （1） 波源附近由于波的干涉而出现一系列声压极大极小值的区域，称为超声场的近场区。波源线上最后一个声压极大值处至波源的距离称为近场区长度。用N表示
    （2）在近场区检测定量是不利的，处于声压极小值处的较大缺陷回波可能较低，而处于声压极大值处的较小缺陷回波可能较高，这样就可能引起误判， 甚至漏检，因此应尽可能避免在近场区内检测定量。
    解析： 暂无解析

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