QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m

题目

QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。

  • A、0.2m
  • B、0.5m
  • C、1m
  • D、1.5m
相似考题

1.194、测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）。（A）西林电桥（QS1电桥）；（B）惠斯顿电桥测量；（C）凯尔文电桥测量。

2.QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错

3.计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）

4.测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）A西林电桥（QS1电桥）B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量

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  • 第1题：

    在使用技术条件允许范围内，QS1交流电桥的测量灵敏度与试验电压成（）比，与标准电容器电容量成（）比。


    正确答案:正；正

  • 第2题：

    QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）

    • A、温度影响
    • B、强电场干扰
    • C、测量中接线错误
    • D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污

    正确答案:B,C,D

  • 第4题：

    QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及（）。

    • A、标准电容器
    • B、标准电感
    • C、标准电阻

    正确答案:A

  • 第5题：

    现场试验中，使用QS1电桥测tgδ％，适合正接线的设备是（）。

    • A、变压器本体
    • B、变压器的电容型套管
    • C、消弧线圈
    • D、电磁式电流互感器本体

    正确答案:B

  • 第6题：

    QS1电桥主要包括（）三部分。

    • A、标准电容器
    • B、QS1电桥桥体
    • C、标准电阻
    • D、升压试验设备

    正确答案:A,B,D

  • 第7题：

    交流QS1电桥，虽然精度较低，但具有携带（），操作简单、适合（）使用的特点。电桥本体及标准电容器CN均具有加强绝缘，能适应10kV电压下（）测量的需要，可方便地用于现场外壳（）的试品。


    正确答案:方便；现场；反接线；接地

  • 第8题：

    测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？


    正确答案: ①在使用电桥过程中，若分流电阻选择不当，很可能损坏R3的各电阻元件，②因为通过被试品的全部电流要由分流电阻和R3分别承担。

  • 第9题：

    当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN＝0.01μF进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000μF。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    问答题
    用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。

    正确答案： C.x=CN×R4/R3=50×3184/345=461.4（皮法）
    答：Cx值为416.4皮法。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    一台变压器，用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时，已知试验电压为10KV，标准电容CN为50皮法，分流器在0.06档，电桥平衡时，R3为64欧，e为0.4欧，tgδ为0.8%，试计算Cx之值（R4为3184欧）。

    正确答案： 分流器位置是0.06时，n=25
    C.x=CN×R4（100+R3）/n（R3+e）=50×3184×（100+64）/25（64+0.4）=16216.6（皮法）
    答：Cx为16216.6皮法。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器，适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？


    正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第17题：

    用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。

    • A、10kV
    • B、1.1倍相电压
    • C、2.2倍相电压
    • D、线电压

    正确答案:B

  • 第18题：

    用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）


    正确答案: 由已知条件：CN=50pF，R3=345Ω，再由电桥计算公式解得Cx值为461.4pF。

  • 第19题：

    如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv，只能采用（）接线法，并配用（）标准电容器．


    正确答案:正；相应电压的

  • 第20题：

    变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。


    正确答案: 被测线圈接地部位
    ①低压外壳、高压和中压线圈
    ②中压外壳、高压和低压线圈
    ③高压外壳、中压和低压线圈
    ④高压和中压外壳和低压线圈
    ⑤高压、中压和低压外壳

  • 第21题：

    用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。

    • A、10Kv
    • B、1.1倍相电压
    • C、线电压

    正确答案:B

  • 第22题：

    现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）

    • A、变压器本体
    • B、变压器电容型套管
    • C、耦合电容器
    • D、CVT

    正确答案:B,C,D

  • 第23题：

    单选题
    QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及（）。
    A

    标准电容器

    B

    标准电感

    C

    标准电阻


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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