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  • 第1题:

    某厂水处理除盐系统流程为(逆流)阳床—除碳器—阴床—除盐水箱—混床—机组补水,写出各个部分的水质监督项目及控制标准。
    阳床入口为:浊度<2FTU;残余氯<0.1mg/L;化学耗氧量<2mg/L(锰法30min水浴煮沸法);阳床出口监督酸度值,钠含量,阴床出口监督二氧化硅、电导率,控制标准为二氧化硅≤100μg/L,电导率≤5μS/cm,硬度约为零,(有混床时,可控制在10μS/cm);混床出水监督项目为二氧化硅≤20μg/L,电导率≤0.2μS/cm,硬度约为零。

  • 第2题:

    写出本单位某除盐系统单元流程?
    工业水→过滤器→阳双室浮床→除碳器→阴双室浮床→混床→除盐水箱。

  • 第3题:

    在单元制一级复床除盐系统中,除盐水的电导率及PH值普遍上升,说明()。

    • A、阴、阳床都失效
    • B、阴床都失效
    • C、阳床都失效

    正确答案:C

  • 第4题:

    在除盐流程中,可否将阴床放在阳床前面,为什么?


    正确答案: 不可以。因为:1、假如阴床在阳床前面,阴离子交换树脂交换下来的OH-将与水中阳离子发生反应,生成Mg(OH)2、Fe(OH)3、Ca(OH)2、Ca(HSiO32等沉淀物附着,在树脂表面不易除掉;
    2、硅酸根在碱性水中以盐型存在,在酸性水中以硅酸形成存在,强碱阴树脂对硅酸的交换能力比硅酸盐的交换能力大,如阴床在阳床前对水中硅的去除不利;
    3、阳床出水呈酸性,进入阴床后,阴离子交换所产生的OH-与水中的H+生成H2O,减少了反离子作用,使阴离子交换反应能彻底进行。

  • 第5题:

    已知8086系统某存储单元物理地址为12345H,写出4个可以与它对应的“逻辑地址”。


    正确答案: 可以与物理地址12345H对应的逻辑地址有:
    1234H:0005H,1230H:0045H,1220H:0145H,1224H:0105H,……

  • 第6题:

    叙述氢气系统流程?除盐冷却水作用有哪些?


    正确答案:电解槽产氢气→氢分离器→氢气洗涤器→气动薄膜调节阀→气水分离器→干燥装置→氢气储罐→氢气母管→发电机
    除盐冷却水作用:去整流柜,给电气设备冷却降温;去氢气冷却器,对氢气冷却降温,主要是对干燥塔再生时通过的氢气冷却降温;通过冷却水气动薄膜阀,去氢、阳分离器,对碱液冷却降温。

  • 第7题:

    写出小型电子产品或单元电路板调试工艺流程。


    正确答案: 小型电子产品或单元电路板调试的一般工艺流程:
    (1)外观直观检查
    (2)静态工作点的测试与调整
    (3)波形、点频测试与调整
    (4)频率特性的测试与调整
    (5)性能指标综合测试
    在以上调试过程中,可能会因元器件、线路和装配工艺因素等出现一些故障。发现故障后应及时排除,对于一些在短时间内无法排除的严重故障,应另行处理,防止不合格部件流入下道工序。

  • 第8题:

    在单元制一级复床除盐系统中,除盐水的DD及pH值上升,说明()

    • A、阳床失效了
    • B、阴床失效了
    • C、阳、阴床都失效了

    正确答案:A

  • 第9题:

    叙述单元制除盐设备再生的操作步骤?


    正确答案: 除盐系统阴阳床再生时,阴阳床同时再生,也可以同时置换。
    1检查酸碱计量箱液位是否在高位位置。
    2阴床小反洗。启动水泵、除碳风机。开阳床入口门、出口门,中间水箱水位应有一半以上时,启动中间水泵,开阴床小反洗进水门、反洗排水门,小反洗流量控制在20~30L/h,等反洗排水清澈透明后(约15min),关阴床小反洗进水门,阴床反洗排水门,关阳床出、入口门。停中间水泵、水泵、除碳风机。
    阴床中排放水。开阴床中排门,阴床空气门。
    3阳床小反洗。启动水泵,开阳床小反洗入口门、反洗排水门,反洗流量控制在20~30t/h。等反洗排水清澈透明后(约20min)关阳床小反洗入口门、反洗排水门。
    4阳床中排放水。开阳床中排门、阳床空气门。中排放水约15min,不再有水排出时,进行阴、阳床再生。
    5进酸碱再生液。开阳床进酸门,阴床进碱门。开阳床酸喷射器入口门,队床碱喷射器入口门,启动除盐再生泵。开酸碱计量箱出口气动门,用手动门来调整再生液浓度,应在规定的范围内。
    6阴阳床再生置换。当酸碱计量箱发低位信号时,关闭计量箱出口气动门,开始进行阴阳床的置换,约40min,到时间停除盐再生水泵,关阳、阴床喷射器入口门,关阳床进酸门,阳床进碱门,阴、阳床的中排门。
    7阳床小正洗。启动淡水泵,开阳床入口门,当阳床空气门见水后,开阳床中排门,关空气门,进行小正洗。
    8阳床正洗。阳床小正洗15min后,开正洗排水门,关阳床中排门,进行正洗。
    9正洗30min后,取样化验出水酸度,与正常运行一致,含钠量不大于800μg/L时,阳床冲洗合格,可以投入运行,开阳床出口门,启动除碳风机,关阳床正洗排水门,中间水箱注水。
    10阴床小正洗。中间水箱水位在1/2以上时,开阴床入口门,中间水泵,待空气门见水后,开阴床中排门,关空气门。
    11阴床正洗。阴床小正洗15min后,开正洗排水门,关阴床中排水门,正洗30min后,取样化验阴床出水电导率和二氧化硅,当电导率小于5μs/cm,二氧化硅小于100μg/L时,阴床再生完毕。关阴床正洗排水门,一阴床出口门,除盐设备即投入运行。
    12阴床冲洗完后,停淡水泵、除碳风机、中间水泵,关阴床正洗排水门、阴阳床入口门、出口门。设备列入备用。

  • 第10题:

    问答题
    机组启动时,单元除盐如何投入?

    正确答案: 在锅炉冷态开式冲洗合格后投入。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    在单元制一级复式除盐系统中,如果含硅量上升,电导率先下降后上升,说明()失效,()未失效。

    正确答案: 阴床,阳床
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    何谓复床除盐系统,举例表达复床除盐系统制备纯水?

    正确答案: 酸性树脂与碱性树脂串联组成的系统,如强酸-脱气-弱碱-强碱系统。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    绘图题:画出反渗透两级处理预除盐系统流程示意图

  • 第14题:

    写出单位某除盐系统单元流程。
    工业水→过滤器→阳双室浮床→除碳器→阴双室浮床→混床→除盐水箱。

  • 第15题:

    在离子交换除盐处理实际生产中,产水比是指()之比。

    • A、除盐系统再生剂耗量与出水量
    • B、除盐系统出水量与再生剂耗量
    • C、除盐系统出水量与进水量
    • D、除盐系统进水量与出水量

    正确答案:D

  • 第16题:

    为什么单元制一级除盐系统中,阴床先失效时,除盐水电导率先下后上升?


    正确答案: 当阴床失效后,首先放出硅酸根,而硅酸根和阳床出水中残留的钠离子生成硅酸钠,而硅酸钠是一种弱电解质,其电导率相应要小些。所以当阴床失效初步放硅时,会使阴床出水电导率短时间内下降。但随着阴床的进一步失效,大量阴离子放出后形成盐酸、硫酸,阴床出水电导率就很快上升。

  • 第17题:

    化工化学水装置一级除盐系统采用的是()制水方式。

    • A、单元制
    • B、母管制
    • C、混合制
    • D、无法确定

    正确答案:A

  • 第18题:

    何谓复床除盐系统,举例表达复床除盐系统制备纯水?


    正确答案:酸性树脂与碱性树脂串联组成的系统,如强酸-脱气-弱碱-强碱系统。

  • 第19题:

    机组启动时,单元除盐如何投入?


    正确答案:在锅炉冷态开式冲洗合格后投入。

  • 第20题:

    写出过热蒸汽系统的流程。


    正确答案:汽包、炉顶棚过热器、后包复过热器、悬吊管及侧后段包复过热器、侧前段包复过热器、前屏过热器、一级减温、后屏、二级减温、对流过热器、集汽联箱、汽机。

  • 第21题:

    问答题
    写出小型电子产品或单元电路板调试工艺流程。

    正确答案: 小型电子产品或单元电路板调试的一般工艺流程:
    (1)外观直观检查
    (2)静态工作点的测试与调整
    (3)波形、点频测试与调整
    (4)频率特性的测试与调整
    (5)性能指标综合测试
    在以上调试过程中,可能会因元器件、线路和装配工艺因素等出现一些故障。发现故障后应及时排除,对于一些在短时间内无法排除的严重故障,应另行处理,防止不合格部件流入下道工序。
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    在单元制一级复床除盐系统中,除盐水的电导率及PH值普遍上升,说明()。
    A

    阴、阳床都失效

    B

    阴床都失效

    C

    阳床都失效


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    在单元制一级复床除盐系统中,除盐水的DD及pH值上升,说明()
    A

    阳床失效了

    B

    阴床失效了

    C

    阳、阴床都失效了


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    问答题
    已知8086系统某存储单元物理地址为12345H,写出4个可以与它对应的“逻辑地址”。

    正确答案: 可以与物理地址12345H对应的逻辑地址有:
    1234H:0005H,1230H:0045H,1220H:0145H,1224H:0105H,……
    解析: 暂无解析