关于非平衡载流子的说法,正确的有:A.一般情况,注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。B.小注入的情况下,非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。C.非平衡少数载流子起重要作用。D.非平衡多数载流子起重要作用。

题目

关于非平衡载流子的说法,正确的有:

A.一般情况,注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。

B.小注入的情况下,非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。

C.非平衡少数载流子起重要作用。

D.非平衡多数载流子起重要作用。


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  • 第1题:

    对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()。

    • A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;
    • B、它的载流子是空穴;
    • C、它对外呈现正电;
    • D、它的多数载流子是空穴。

    正确答案:D

  • 第2题:

    在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()


    正确答案:错误

  • 第3题:

    下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()

    • A、仅自由电子是载流子
    • B、仅空穴是载流子
    • C、自由电子和空穴都是载流子
    • D、三价杂质离子也是载流子

    正确答案:C

  • 第4题:

    对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。

    • A、非平衡载流子浓度成正比;
    • B、平衡载流子浓度成正比;
    • C、非平衡载流子浓度成反比;
    • D、平衡载流子浓度成反比。

    正确答案:C

  • 第5题:

    填空题
    使非平衡载流子浓度增加的运动叫();使非平衡载流子浓度减少的运动叫()。

    正确答案: 产生,复合
    解析: 暂无解析

  • 第6题:

    名词解释题
    平衡载流子和非平衡载流子

    正确答案: 在一定温度下,半导体中由于热激发产生的载流子成为平衡载流子。由于施加外界条件(外加电压、光照),人为地增加载流子数目,比热平衡载流子数目多的载流子称为非平衡载流子。
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    名词解释题
    非平衡载流子的产生

    正确答案: 光注入;其它方法:电注入、高能粒子辐照等
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    问答题
    什么是非平衡载流子?请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。

    正确答案: 半导体处于非平衡态时,比平衡态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子,
    Δpn。非平衡载流子的运动:因为作为少数载流子的非平衡载流子能够产生浓度梯度,所以,非平衡载流子的扩散是一种重要的运动形式;相对来说,非平衡载流子受电场作用而产生的漂移电流却往往较小。
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    单选题
    对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
    A

    非平衡载流子浓度成正比;

    B

    平衡载流子浓度成正比;

    C

    非平衡载流子浓度成反比;

    D

    平衡载流子浓度成反比。


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    填空题
    目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,(),稳态法(间接法)。

    正确答案: 瞬态法(直接法)
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    测试非平衡少数载流子数目的方法?

    正确答案: (1)瞬态法,也称稳态法,这类方法有光电导衰退法
    (2)稳态法,也称间接法,这类方法主要有扩散长度法和光磁法.
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    掺杂型探测器是由()之间的电子-空穴对复合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。
    A

    禁带

    B

    分子

    C

    粒子

    D

    能带


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    PN结的宽度稳定后()。

    • A、载流子停止运动
    • B、只有多数载流子的扩散运动
    • C、扩散与漂移运动达到动态平衡

    正确答案:C

  • 第14题:

    PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()

    • A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散
    • B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移
    • C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散
    • D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

    正确答案:D

  • 第15题:

    了解PN结正向电压—电流特性;多子与少子;非平衡少数载流子注入;正向电流(电池的暗电流)及方向。


    正确答案: 特性:势垒区中的电场减小,由Vo变为(Vo-V);势垒高度减小,由eV0变为e(Vo-V);势垒区宽度w减小。出现非平衡载流子注入:载流子扩散电流大于漂移电流。n区中电子不断扩散到p区,p区中空穴不断扩散到n区,这种注入载流子的,为非平衡少子。正向电流:对PN结施加正向偏压V后,扩散电流大于漂移电流,导致非平衡少子注入而产生的电流。方向由p指向n。

  • 第16题:

    单选题
    简述光生伏特效应中正确的是()
    A

    用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;

    B

    p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;

    C

    平衡载流子破坏原来的热平衡;

    D

    非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第17题:

    单选题
    APD光电二极管出现雪崩击穿是因为(    )。
    A

    载流子在耗尽区的漂移时间过长

    B

    将光信号转换为电信号的效率太低

    C

    其所加的反向偏置电压过大

    D

    其注入的非平衡载流子扩散过快


    正确答案: C
    解析:

  • 第18题:

    多选题
    下列关于平衡计分卡的说法中,正确的有(  )。
    A

    各指标要求能够准确量化

    B

    组织战略被置于中心地位

    C

    是财务指标与非财务指标的平衡

    D

    包括财务、顾客、内部流程、学习与创新四个角度


    正确答案: D,A
    解析:
    平衡计分卡表明了企业员工需要什么样的知识技能和系统,分配创新和建立适当的战略优势和效率,使企业能够把特定的价值带给市场,从而最终实现更高的股东价值。平衡计分卡同样看重财务与非财务指标的作用,也有定性的指标。所以并不是求要每个指标都准确量化。

  • 第19题:

    名词解释题
    非平衡载流子

    正确答案: 光辐射照射端电压为u的半导体,如果波长满足如下条件,Eg是禁带宽度,Eg是杂质能带宽度。那么光子将在其中激发新的载流子(电子和空穴),这就使半导体中的载流子浓度在原来平衡值上增加了一个量 n和p,新增的部分半导体物理中叫非平衡载流子。
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    名词解释题
    平衡载流子浓度

    正确答案: 处于热平衡状态的半导体,在一定温度下,载流子浓度一定。这种处于热平衡状态下的载流子浓度,称为平衡载流子浓度。
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()
    A

    载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散

    B

    载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移

    C

    载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散

    D

    载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
    A

    1/4;

    B

    1/e;

    C

    1/e2;

    D

    1/2


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    关于活动星系,下列说法错误的是()
    A

    活动星系还有大量非恒星物质、非热辐射

    B

    活动星系含有大量全波段,非热平衡和引力平衡

    C

    活动星系有大规模的物质涌动、爆发、喷流

    D

    活动星系之间并不相互干扰


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    填空题
    非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。

    正确答案: 复合强弱
    解析: 暂无解析