本证半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。

题目

本证半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。

相似考题

1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

2.在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()

3.本征半导体的载流子是()。

4.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压

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  • 第1题：

    本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()


    参考答案：错误

  • 第2题：

    在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷

    正确答案:A

  • 第3题：

    半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。


    正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴

  • 第4题：

    本征半导体载流子（）

    • A、自由电子和空穴的浓度无法确定
    • B、自由电子的浓度小于空穴的浓度
    • C、自由电子的浓度大于空穴的浓度
    • D、自由电子和空穴的浓度相等

    正确答案:D

  • 第5题：

    本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.


    正确答案:少

  • 第7题：

    杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？


    正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

  • 第8题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第9题：

    杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、杂质浓度
    • C、电子空穴对数目
    • D、都不是

    正确答案:B

  • 第10题：

    本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

    • A、电子载流子
    • B、空穴载流子
    • C、电子载流子和空穴载流子

    正确答案:C

  • 第11题：

    填空题
    （）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。

    正确答案： 电子,空穴,电子,空穴,空穴,本证
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    本征半导体载流子（）
    A

    自由电子和空穴的浓度无法确定

    B

    自由电子的浓度小于空穴的浓度

    C

    自由电子的浓度大于空穴的浓度

    D

    自由电子和空穴的浓度相等


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

    A、温度

    B、杂质浓度

    C、原本征半导体的纯度


    参考答案：B

  • 第14题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷
    • E、空穴
    • F、自由电子

    正确答案:A,C

  • 第15题：

    在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。


    正确答案:自由电子；空穴；三价元素

  • 第17题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第18题：

    半导体中有（）和空穴两种载流子。


    正确答案:自由电子

  • 第19题：

    温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）


    正确答案:增加；增加；基本不变

  • 第20题：

    半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）


    正确答案:自由电子；空穴；环境温度或光照强度；掺杂浓度

  • 第21题：

    温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。


    正确答案:错误

  • 第22题：

    单选题
    杂质半导体中少数载流子浓度（）
    A

    与掺杂浓度和温度无关

    B

    只与掺杂浓度有关

    C

    只与温度有关

    D

    与掺杂浓度和温度有关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。
    A

    温度提高导电能力提高

    B

    有两种载流子

    C

    电阻率很小，接近金属导体

    D

    参杂质后导电能力提高


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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