2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。A．12AB．25AC．36AD．40A

题目

2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

A．12A

B．25A

C．36A

D．40A

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。A、0B、1C、5D、10

3.功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

4.某电压源的电压与电流为非关联参考方向,已知其电压为5V,电流为2A,则该电压源提供的功率为_________W。

参考答案和解析
12A
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  • 第1题：

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案：A

  • 第2题：

    GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。


    参考答案：基极电流;电压型

  • 第3题：

    关于电源等效变换的关系，下列叙述正确的是（ ）。

    A.当n个电压源串联时，可以等效为一个电压源US，其数值为n个串联电压源电压的代数和
    B.当n个电流源串联时，可以等效为一个电流源iS，其数值为n个串联电流源电流的代数和
    C.当一个电压源US与一个电流源iS相并联时，可以等效为电压源US
    D.当一个电压源US与一个电流源iS相串联时，可以等效为电流源IS

    答案：A,C,D
    解析：
    当n个电流源串联时，必须满足各个电流源大小相等、方向相同，等效电流源的电流为其中任意一个电流源的电流。

  • 第4题：

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

    • A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
    • C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第5题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    实验测得某有源二端线性网络的开路电压为6V。当外接电阻R时，其端电压为4V，电流为2A，则该网络的戴维宁等效电压源的参数为（）。

    • A、US=4V、R0=3Ω
    • B、US=6V、R0=2Ω
    • C、US=6V、R0=1Ω

    正确答案:C

  • 第7题：

    场效应管是通过（）改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第8题：

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道；感生电荷

  • 第9题：

    电力电子器件P-MOSFET为（）器件。

    • A、电压控制型
    • B、电流控制型
    • C、单极型
    • D、双极型

    正确答案:A,C

  • 第10题：

    填空题
    在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

    正确答案： 沟道夹断,载流子漂移速度的饱和
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是（）。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第14题：

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案：B

  • 第15题：

    某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

    • A、耗尽型管
    • B、增强型管
    • C、绝缘栅型
    • D、无法确定

    正确答案:A

  • 第16题：

    一个内阻为0.5Ω的电压源，其开路电压为15V。则当负载电流为4A时，负载电压为（）

    • A、15V
    • B、13V
    • C、17V
    • D、2V

    正确答案:B

  • 第17题：

    场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第18题：

    一单限电压比较器，其饱和输出电压为 12V，若反相端输入电压为3V，则当同相端输入电压为4V时，输出 （） V；当同相端输入电压为2V时，输出为（）V。


    正确答案:+12；-12

  • 第19题：

    场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。


    正确答案:结型；增强型

  • 第20题：

    下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）

    • A、是电压驱动型器件
    • B、也称为绝缘栅极双极型晶体管
    • C、属于全控型器件
    • D、三个极为漏极、栅极和源极

    正确答案:B

  • 第21题：

    多选题
    电力电子器件P-MOSFET为（）器件。
    A

    电压控制型

    B

    电流控制型

    C

    单极型

    D

    双极型


    正确答案： C,D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。
    A

    耗尽型管

    B

    增强型管

    C

    绝缘栅型

    D

    无法确定


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

    正确答案： 大,衬底,严重
    解析： 暂无解析

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