由于双极型晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以使用时不能互换。

题目

由于双极型晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以使用时不能互换。

相似考题

1.三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

2.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

3.三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

4.三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。()此题为判断题(对，错)。

更多“由于双极型晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以使用时不能互换。”相关问题

  • 第1题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

    A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

    B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

    C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏

    D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏


    参考答案：A

  • 第2题：

    晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：错

  • 第3题：

    三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。


    正确答案:基区

  • 第5题：

    在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

    • A、基区
    • B、集电区
    • C、发射区
    • D、饱和区

    正确答案:C

  • 第6题：

    三极管具有（）的特点。

    • A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
    • B、基区非常薄
    • C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大
    • D、以上三项

    正确答案:D

  • 第7题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。

    • A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
    • B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
    • C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏
    • D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏

    正确答案:A

  • 第8题：

    由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    填空题
    由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

    正确答案： 大,衬底,严重
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。

    正确答案： 注入效率,下降,发射区禁带变窄,俄歇复合增强
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。


    参考答案：N N P

  • 第14题：

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案：D

  • 第15题：

    PNP三极管工作特点是（）.

    • A、发射区发射电子，集电区收集电子
    • B、发射区发射空穴，集电区收集电子
    • C、发射区发射电子，集电区收集空穴
    • D、发射区发射空穴，集电区收集空穴

    正确答案:D

  • 第16题：

    三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第19题：

    通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。

    • A、可以调换使用
    • B、不可以调换使用
    • C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用

    正确答案:B

  • 第21题：

    晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。


    正确答案:错误

  • 第22题：

    半导体三极管工作过程中（）。

    • A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；
    • B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；
    • C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；
    • D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

    正确答案:A

  • 第23题：

    填空题
    晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。

    正确答案： 基区
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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