下面关于DRAM存储位元描述不正确的是（）。A．DRAM的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路B．DRAM的存储元是一个触发器，它具有两个稳定的状态C．电容器上的电荷量来体现所存储的信息D．DRAM的读操作通常伴随着刷新操作

题目

下面关于DRAM存储位元描述不正确的是（）。

A．DRAM的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路

B．DRAM的存储元是一个触发器，它具有两个稳定的状态

C．电容器上的电荷量来体现所存储的信息

D．DRAM的读操作通常伴随着刷新操作

相似考题

1.下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C． DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新

2.下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．静态RAM(SRAM．集成度低，但存取速度快且无须刷新B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失

3.下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新

4.下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

更多“下面关于DRAM存储位元描述不正确的是（）。”相关问题

  • 第1题：

    ● 下列关于静态存储器 （SRAM） 和动态存储器 （DRAM） 的叙述中， 不正确的是 （9） 。

    （9）

    A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高

    B. DRAM 就是通常说的内存

    C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低

    D. SRAM 只要不断电，数据就能永久保存


    正确答案：A

  • 第2题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    ① SRAM比DRAM存储电路简单

    ② SRAM比DRAM成本高

    ③ SRAM比DRAM速度快

    ④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D
    解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要 定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入， 这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路 的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不 需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

  • 第3题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

    Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

  • 第4题：

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第5题：

    下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM存储密度高

    Ⅱ．相同存储容量的SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快

    Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中错误的叙述是______。

    A) Ⅰ和Ⅱ

    B) Ⅱ和Ⅲ

    C) Ⅲ和Ⅳ

    D) Ⅰ和Ⅳ

    A．

    B．

    C．

    D．


    正确答案：D

  • 第6题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D

  • 第7题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    其中哪两个叙述是正确的?

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D
    解析：本题比较全面地考查了DRAM和SRAM的性质。DRAM是动态的，需要经常刷新，其集成度较高，因此成本较低，适合大容量的存储器。但是DRSM在数据读出和写入的时候需要刷新时间，而SRAM在存储数据的时候不需要自动刷新，只有在执行写命令时才发生刷新操作，因此工作速度快。所以Ⅱ和Ⅲ是错误的。

  • 第8题：

    下面关于DRAM存储器描述错误的是（）

    • A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新
    • B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点
    • C、DRAM存储器属于非易失的存储器
    • D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

    正确答案:C

  • 第9题：

    以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRAM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第10题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第11题：

    单选题
    下面关于DRAM存储器描述错误的是（）
    A

    DRAM存储器需要对存储内容定时刷新

    B

    DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点

    C

    DRAM存储器属于非易失的存储器

    D

    DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下列关于存储器的描述，不正确的是（）。
    A

    SRAM和DRAM都是易失性存储器

    B

    ROM存储器内容是预置的，固定的，无法改写

    C

    多模块交叉存储器主要是解决主存空间不够大的问题

    D

    cache存储器是为了解决CPU和主存之间在速度上不匹配的问题


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。

    A．静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新

    B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用

    C．DRAM的存取速度比SRAM快

    D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失


    正确答案：A

     SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会丢失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一‘经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。DRAM是动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory)，集成度较高，功耗也较低，但缺点是一般信息保存时问为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的丰存储器。

  • 第14题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D
    解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

  • 第15题：

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

  • 第16题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第17题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D
    解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

  • 第18题：

    PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，错误的是( )。

    A．ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失

    B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般不会丢失

    C．由于SRAM的速度比DRAM快，因此，在PC中，SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成

    D．DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路，SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路，因此，DRAM的集成度比SRAM的集成度高


    正确答案：A

  • 第19题：

    下列关于DRAM的叙述，正确的是

    A.DRAM是一种随机存储器

    B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.DRAM是一种半导体存储器

    E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABCD

  • 第20题：

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对（）

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第21题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第22题：

    单选题
    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。
    A

    ①和②

    B

    ②和③

    C

    ③和④

    D

    ①和④


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    下面关于随机存取存储器（RAM）的叙述中，正确的是（　　）。
    A

    存储在SRAM或DRAM中的数据在断电后将全部丢失且无法恢复

    B

    SRAM的集成度比DRAM高

    C

    DRAM的存取速度比SRAM快

    D

    DRAM常用来做Cache用


    正确答案： A
    解析：
    A项正确，RAM有两个特点，①可读/写性；②易失性，电源断开时，RAM中的内容立即丢失。B项错误，DRAM的功耗低，集成度高，成本低；C项错误，SRAM的存取速度比DRAM快；D项错误，Cache一般用SRAM存储芯片实现，因为SRAM比DRAM存取速度快而容量有限。

  • 第24题：

    单选题
    下面关于随机存储器（RAM）的叙述中，正确的是（　　）。
    A

    RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类

    B

    SRAM的集成度比DRAM高

    C

    DRAM的存取速度比SRAM快

    D

    DRAM中存储的数据无须“刷新”


    正确答案： A
    解析：
    RAM又可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）两种，DRAM集成度比SRAM高，SRAM比DRAM存储速度快，DRAM数据要经常刷新。

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