3、在绘制型别为v的开环系统Bode图时,低频段渐近线斜率为
A.-20v dB/dec
B.20v dB/dec
C.-10v dB/dec
D.10v dB/dec
第1题:
系统开环频率特性的几何表示方法有对数频率特性和bode图。()
第2题:
A.-180o
B.180o
C.-90o
D.90o
第3题:
A、一个设计良好的系统,相角裕度应为45度左右
B、开环频率特性,在中频段对数幅频特性斜率应为
C、低频段,系统的开环增益主要由系统动态性能要求决定
D、利用超前网络进行串联校正,是利用超前网络的相角超前特性
第4题:
惯性环节对数幅频特性曲线高频段的渐近线斜率为()dB/dec。
第5题:
在电位滴定中,以ΔE/ΔV-V作图绘制滴定曲线,滴定终点为()。
第6题:
Ⅱ型系统对数幅频特性的低频段渐近线斜率为()
第7题:
若给了一个bode图,问系统是否稳定,增大还是减小开环增益K会使系统不稳定?
第8题:
Bode图稳定判据为:系统稳定的充要条件是在Bode图的L(w)>0dB的范围内,开环对数相频特性曲线φ(ω)在()线上正负穿越次数之差等于开环右极点数的1/2。
第9题:
表征系统的动态性能的是系统的开环对数幅频特性L(ω)的()。
第10题:
关于系统频域校正,下列观点错误的是()
第11题:
二阶振荡环节对数幅频特性曲线高频段的渐近线斜率为()dB/dec。
第12题:
1型系统开环对数幅频渐近特性的低频段斜率为()
第13题:
A.-20dB/dec
B.20dB/dec
C.-40dB/dec
D.40dB/dec
第14题:
此题为判断题(对,错)。
第15题:
2型系统的对数幅频特性低频渐近线斜率为()。
第16题:
在电位滴定中,以△E/△V~V(E为电位,V为滴定剂体积)作图绘制滴定曲线,滴定终点为()。
第17题:
I型系统对数幅频特性的低频段是一条斜率为-20db/dec的直线。
第18题:
一阶比例微分环节对数幅频特性曲线高频段渐近线的斜率为()dB/dec。
第19题:
II型系统的对数幅频特性的低频段渐近线斜率为()
第20题:
下列关于开环对数频率特性曲线―Bode图,说法不正确的是()
第21题:
2型系统对数幅频特性的低频段渐近线斜率为()
第22题:
开环系统的频率特性与闭环系统的时间响应有关。开环系统的低频段表征闭环系统的稳定性;开环系统的中频段表征闭环系统的动态性能;开环系统的高频段表征闭环系统的()。
第23题:
在频域设计中,一般地说,开环频率特性的低频段表征了闭环系统的();开环频率特性的中频段表征了闭环系统的();开环频率特性的高频段表征了闭环系统的()。
第24题: