晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，晶界的移动会出现什么情况？ （友情提示：至少三种情况）

题目

晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，晶界的移动会出现什么情况？ （友情提示：至少三种情况）

相似考题

1.c-Si是由（）组成的。A、结晶粒相B、结晶粒相界C、非晶相D、微晶相

2.晶界的能量较高，原子处于不稳定状态，所以（）。A、晶界上原子扩散速度快，拉弯首先在晶界行核B、晶界上比晶粒内部强度、硬度低C、晶界上不易聚集杂质原子D、晶界腐蚀速度慢

3.什么叫晶粒、晶界？

4.低碳钢焊接时，由于焊接高温的影响，晶粒长大快，碳化物容易在晶界上积聚、长大，使焊缝脆弱，焊接接头强度降低。

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  • 第1题：

    晶粒与晶粒的接触处叫晶界。


    正确答案:正确

  • 第2题：

    变质处理的目的是使（）长大速度变小。

    • A、晶格
    • B、晶界
    • C、晶核
    • D、晶粒

    正确答案:C

  • 第3题：

    由于枝晶偏析，低熔点杂质最容易存在于晶界，还可能在最后凝固的晶粒上出现不平衡的（）。


    正确答案:第二相

  • 第4题：

    冷形变金属在再结晶时可以亚晶合并、亚晶长大和原晶界弓出三种方式形核。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    晶界移动通遇到夹杂物时会出现哪几种情况？从实现致密化目的考虑，晶界应如何移动？怎样控制？


    正确答案: 晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，其移动可能出现三种情况。
    （1）晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，晶粒正常长大停止。
    （2）晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，这时气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。
    （3）晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部。由于气孔脱离晶界，再不能利用晶界这样的快速通道排除，使烧结停止，致密度不再增加，这将出现二次再结晶现象。
    从实现致密化目的考虑，晶界应按第二种情况移动，控制晶界的能量以增加致密度。

  • 第6题：

    金属的晶界是面缺陷。晶粒愈细，晶界愈多，金属的性能愈差。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    下列关于晶粒、晶界和亚晶界的说法中错误的是（）

    • A、晶粒越细小，晶界就越多
    • B、晶粒越细小，金属的强度越高
    • C、晶界越多，金属的强度和硬度就越低
    • D、亚晶界越多，强度就越高

    正确答案:C

  • 第8题：

    判断题
    晶界处原子排列不规则，因此对金属的塑性变形起着阻碍作用，晶界越多，其作用越明显。显然，晶粒越细，晶界总面积就越小，金属的强度和硬度也就越低。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    晶体中原子一定规则排列的空间几何图形称（）。
    A

    晶粒

    B

    晶格

    C

    晶界

    D

    晶相


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。
    A

    曲率中心

    B

    曲率中心相反

    C

    曲率中心垂直


    正确答案： A
    解析： 若就个别晶粒长大的微观过程来说，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因。正常晶粒长大时，晶界总是向着曲率中心的方向移动。

  • 第11题：

    问答题
    晶界移动通遇到夹杂物时会出现哪几种情况？从实现致密化目的考虑，晶界应如何移动？怎样控制？

    正确答案： 晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，其移动可能出现三种情况。
    （1）晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，晶粒正常长大停止。
    （2）晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，这时气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。
    （3）晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部。由于气孔脱离晶界，再不能利用晶界这样的快速通道排除，使烧结停止，致密度不再增加，这将出现二次再结晶现象。
    从实现致密化目的考虑，晶界应按第二种情况移动，控制晶界的能量以增加致密度。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    多晶体内晶界对塑性变形有较大的阻碍作用，这是因为晶界处原子排列比较紊乱，阻碍了（）的移动，所以晶界越多，多晶体的（）越大。

    正确答案： 位错,强度
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    钢轨闪光焊的加热区宽时将会引起热影响区晶粒长大，晶界析出非金属夹杂物。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    高碳钢在焊接时，晶粒长大快，碳化物容易在晶界上积聚长大，使接头（）降低。

    • A、脆性
    • B、塑性
    • C、硬度

    正确答案:B

  • 第15题：

    关于晶界说法不正确的是（）。

    • A、晶界的熔点比一般比晶粒低
    • B、晶界上有较多杂质
    • C、晶界上不可出现空位
    • D、晶界上有许多电子俘获中心

    正确答案:C

  • 第16题：

    再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。

    • A、曲率中心
    • B、曲率中心相反
    • C、曲率中心垂直

    正确答案:A

  • 第17题：

    晶界移动遇到气孔时会出现几种情况，从实现致密化目的考虑，晶界应如何移动？怎样控制？


    正确答案: 烧结初期，晶界上气孔数目很多，此时气孔阻止晶界移动，Vb=0。烧结中、后期，温度控制适当，气孔逐渐减少。可以出现Vb=Vp，此时晶界带动气孔以正常速度移动，使气孔保持在晶界上，气孔可以利用晶界作为空位传递的快速通道而迅速汇集或消失。继续升温导致Vb》Vp，晶界越过气孔而向曲率中心移动，气孔包入晶体内部，只能通过体积扩散排除，这是十分困难的。
    从实现致密化目的考虑，晶界应带动气孔以正常速度移动，使气孔保持在晶界上，气孔可以利用晶界作为空位传递的快速通道而迅速汇集或消失。
    控制方法：控制温度，加入外加剂等。

  • 第18题：

    晶粒之间的界面称为（）。

    • A、亚晶界
    • B、晶界
    • C、曲面
    • D、小角度晶界

    正确答案:B

  • 第19题：

    问答题
    晶界移动遇到气孔时会出现几种情况，从实现致密化目的考虑，晶界应如何移动？怎样控制？

    正确答案： 烧结初期，晶界上气孔数目很多，此时气孔阻止晶界移动，Vb=0。烧结中、后期，温度控制适当，气孔逐渐减少。可以出现Vb=Vp，此时晶界带动气孔以正常速度移动，使气孔保持在晶界上，气孔可以利用晶界作为空位传递的快速通道而迅速汇集或消失。继续升温导致Vb》Vp，晶界越过气孔而向曲率中心移动，气孔包入晶体内部，只能通过体积扩散排除，这是十分困难的。
    从实现致密化目的考虑，晶界应带动气孔以正常速度移动，使气孔保持在晶界上，气孔可以利用晶界作为空位传递的快速通道而迅速汇集或消失。
    控制方法：控制温度，加入外加剂等。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    多选题
    多晶陶瓷破晶界的特点（）
    A

    强度比晶粒低得多

    B

    沿晶界破坏

    C

    晶粒晶界长强度高

    D

    起始裂纹长度与晶粒晶界相当


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    再结晶晶粒长大的驱动力是来自晶界移动后体系总的自由能的降低。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    冷形变金属在再结晶时可以亚晶合并、亚晶长大和原晶界弓出三种方式形核。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    c-Si是由（）组成的。
    A

    结晶粒相

    B

    结晶粒相界

    C

    非晶相

    D

    微晶相


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    晶粒之间的界面称为（）。
    A

    亚晶界

    B

    晶界

    C

    曲面

    D

    小角度晶界


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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