某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR（CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。A．100mA，100mAB．15mA，100mAC．15mA，150mAD．100mA，15mA

题目

某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR（CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。

A．100mA，100mA

B．15mA，100mA

C．15mA，150mA

D．100mA，15mA

相似考题

1.有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CEO=30V。若工作电流IC=1mA，则工作电压UCE不得超过()V。A、15B、100C、30D、150

2.当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流,且UCE小于BUCEO时,晶体管就能安全工作。()此题为判断题(对，错)。

3.某晶体管的极限参数PCM = 150mW，ICM = 100mA，U(BP)CEO = 30V。若它的工作电压分别为UCE = 10V和UCE = 1V时，则其最大允许工作电流分别为（）。 A. 15mA 100mA B. 10mA 100mA C. 150mA 100mA D. 15mA 10mA

4.当晶体管的UCE一定时,基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系曲线称为()曲线;当基极电流IB一定时,集电极与发射极间的电压UCE与集电极电流IC的关系曲线称为()曲线。

参考答案和解析

A 集电极最大允许功率损耗PCM。集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PcM=ICUCB≈ICUCE。(1)当UCE=10V时，PCM≈ICUCE=150mW，则ICM=15mA。(2)当UCE=1V时，PCM≈ICUCE=150mW，则ICM=150mA，因晶体管的最大集电极电流ICM=100mA，因此UCE=1V时，ICM=100mA。所以UCE=10V和UCE=1V时，其最大允许工作电流为15mA和100mA。

更多“某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR（CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。”相关问题

第1题：

某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压分别为UCE=10V和UCE=1V时，则其最大允许工作电流分别为（　　）。

A． 15mA，100mA
B． 10mA，100mA
C． 150mA，100mA
D． 15mA，10mA

答案：A
解析：
第2题：

某单三极管构成的闭合回路，已知电源电压12V，集电极上电阻电压5V，发射极上电阻电压1V，则UCE的电压为（）。
- A、5V
- B、1V
- C、6V
- D、3V
正确答案:C
第3题：

晶体管工作在放大区、截止区和饱和区是的两个PN结分别是如何偏执的？理想情况下，工作在截止区是的I_C有多大？工作在饱和区时U_CE为多大？

正确答案: 当发射极正偏，集电结反偏时，工作在放大区；当发射极反偏或是零偏，集电结反偏时，工作在截止区；当发射极和集电结都正偏时，工作在饱和区。
理想状况下，工作在截止区时I_C≈0：工作在饱和区U_CE≈0。
第4题：

测得硅三极管的极间电压UBE、UCE分别为0伏，12伏，则管子工作在（）状态。
- A、放大
- B、饱和
- C、截止
- D、不一定
正确答案:C
第5题：

PCM模数转换中输入信号大于1V时,采用10V参考电压。

正确答案:正确
第6题：

某晶体管的集电极的最大允许耗散功率P_CM=500mW，集电极最大允许电流I_CM=500mA，在实际应用线路中测得它的集电极电流I_C=100mA，U_CE=6V，其后果为（）
- A、该管应过热而损坏
- B、该管可长期安全工作
- C、该管可安全工作、但将下降
正确答案:A
第7题：

某三极管的极限参数为I_CM =30 mA、P=200 mW、U_BR（CEO）=30V。当工作电压 U_CE=10V时，工作电流I_C不得超过（）mA；当工作电压U_CE=1V时， I_C不得超过（）mA；当工作电流I_C=1mA时，U_CE不得超过（）V

正确答案:20；30；30
第8题：

有人选用最大允许集电极电流I_CM=20mA，最大允许电压U_CEO=20V，集电极最大允许耗散功率P_CM=100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点I_C=15mA，U_CE=10V，则该管应属于下列四种状态中的（）
- A、可以正常放大
- B、可能击穿
- C、放大性能较差
- D、过热或烧坏
正确答案:D
第9题：

某晶体管的极限参数P_CM=150mW，I_CM=100mA，U（BR）_CEO=30V。若它的工作电压U_CE=10V，则工作电流不得超过（）mA；若工作电压U_CE=1V，则工作电流不得超过（）mA；若工作电流I_C=1mA，则工作电压不得超过（）V。

正确答案:15；100；30
第10题：

3DG6型晶体管的ICM=20Ma，BUcE0=20V，PcM=100Mw，如果将它接在电路中，Ic=15Ma，UcE=10V，则该管（）。
- A、工作正常
- B、击穿
- C、管子过热甚至烧坏
- D、必定烧坏
正确答案:C
第11题：

测量Uce电压时，若测得Uce=Ec，试说明此时管子处于什么状态？

正确答案:若UCE=EC这说明RC上没有压降，IC=0，管子处于截止状态。
第12题：

三极管3DG4的P_CM=300mW，I_C=10mA，管子的工作电压U_CE等于（）V。
- A、30
- B、10
- C、3000
- D、300
正确答案:A
第13题：

已知某三极管Pcm＝100mw，Icm＝20mA，Uceo＝15V，试问以下四种情况下，哪种情况能正常工作（）。
- A、Uce=2V；Ic＝40mA
- B、Uce=10V；Ic＝20mA
- C、Uce=10V；Ic＝20mA
- D、Uce=3V；Ic＝10mA
正确答案:D
第14题：

一桥式整流电路，要求输出12V直流电压和100mA电流，那么，关于整流二极管的最大反向工作电压URM和最大整流电流ICM，下面说法正确的为（）。
- A、URM≥20V，IOM≥25mA
- B、URM≥10V，IOM≥50mA
- C、URM≥10V，IOM≥100mA
- D、URM≥20V，IOM≥100mA
正确答案:D
第15题：

在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使三极管（）。
- A、集电极电压UCE上升
- B、集电极电压UCE下降
- C、基极电流不变
- D、无法确定
正确答案:B
第16题：

当NPN型硅管工作在饱和区，则UCE为0.7伏。

正确答案:正确
第17题：

车速越高、负载越小时，BG1的电压Uce1极电压越低，BGZ的电压Uce2极电压越高。

正确答案:正确
第18题：

某晶体管的极限参数I_CM=20mA，P_CM=100mW，U_（BR）CEO=30V，因此，当工作电压U_CE=10V时，工作电流I_C不得超过（）mA；当工作电压U_CE=1V时，不得超过（）mA；当工作电流I_C=20mA时，C_EU不得超过（）V。

正确答案:10；20；30
第19题：

表明晶体管质量优劣的主要参数是（）。
- A、β，I_CBO，（I_CEO）
- B、I_CM、P_CM
- C、U（_BR）_CEO，I_CM
正确答案:A
第20题：

某乙类双电源互补对称功率放大电路中，电源电压为±20V，负载为8Ω，则选择管子时，要求U_（BR）CEO大于（）V，I_CM大于（）A，P_CM大于（）W。

正确答案:40；2.5；5
第21题：

有一晶体管的极限参数：P_CM=150mW，I_CM=100mA，V_（BR）CEO=30V。若它的工作电压V_CE=10V，则工作电流I_C不得超过15mA；若工作电压V_CE==1V，则工作电流I_C不得超过150mA；若工作电流I_C=1mA，则工作电压V_CE不得超过（）V。
- A、15
- B、100
- C、30
- D、150
正确答案:C
第22题：

3DG6D型晶体三极管的P_CM=100mW，I_CM=20mA，U_BR（CEO）=30V，如果将它接在I_C=15mA，U_CE=20V的电路中，则该管（）。
- A、击穿
- B、工作正常
- C、功耗太大过热，甚至烧坏
- D、不确定
正确答案:C
第23题：

在晶体管电路中I_e=I_b+I_c及u_ce=u_cb+u_be是符合节点电流及回路电压定律。

正确答案:正确
第24题：

单选题
在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（）。
A
集电极电压Uce上升
B
集电极电压Uce下降
C
基极电流不变

正确答案： B
解析：暂无解析

某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR（CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。A．100mA，100mAB．15mA，100mAC．15mA，150mAD．100mA，15mA

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