二次再结晶仍然是重新形核和长大的过程

题目

二次再结晶仍然是重新形核和长大的过程

相似考题

1.液态金属结晶的基本过程是()A.边形核边长大B.先形核后长大C.自发形核D.非自发形核

2.再结晶和重结晶都有形核和长大两个过程，主要区别在于有没有（）改变。A、温度B、晶体结构C、应力状态D、体积

3.再结晶是形核—长大过程，所以也是一个相变过程。

4.在再结晶过程中，晶粒的尺寸随再结晶温度的升高和时间的延长而长大。（）

参考答案和解析
错
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  • 第1题：

    钢水的凝固过程包括（）。

    • A、开始凝固
    • B、过程凝固
    • C、形核
    • D、核长大

    正确答案:C,D

  • 第2题：

    晶粒回复过程：回复→晶粒长大→再结晶。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    熔池的结晶是经历形核和长大的过程，在焊接熔池过热条件下只存在均质形核。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    二次再结晶是（）

    • A、相变过程
    • B、形核长大过程
    • C、某些晶粒特别长大的现象

    正确答案:B

  • 第5题：

    金属的再结晶转变，也要经历形核与晶核长大的过程。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    简述薄膜形核的过程和长大的过程。


    正确答案: 形核：一般是气相原子在基底的表面聚集而成，包括吸附、凝结、临界核形成、稳定核形成等过程。入射到基体表面的气相原子被悬挂键吸引住，发生物理吸附或化学吸附，表面能降低，吸附后的原子仍可发生解吸。吸附的原子不能在基底表面稳定存在，自发形成固态的薄膜。吸附后的原子在基体表面具有水平方向的动能，使其在不同方向上进行扩散，单个原子间通过相互碰撞，凝结成原子对和更大的原子团。在满足一定热力学条件下，先生成临界核，在此基础上加一个原子就可变为稳定核。
    长大：指形成稳定核后薄膜的形成过程，一般经历岛状、连并、沟道、连续膜四个阶段。分散在基底表面的大量晶核长大，直至相互接触并逐渐布满整个基底表面形成连续薄膜。

  • 第7题：

    将冷变形金属热到再结晶温度时，发生再结晶现象。即变形的晶粒重新形核。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    判断题
    金属的再结晶转变，也要经历形核与晶核长大的过程。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    冷形变金属在再结晶时可以亚晶合并、亚晶长大和原晶界弓出三种方式形核。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    二次再结晶是指（）
    A

    少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

    B

    多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

    C

    晶粒不断成核长大的过程

    D

    少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    说明以下概念的本质区别： 1、一次再结晶和二次在结晶。 2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。

    正确答案： 1、一次再结晶和二次在结晶。
    定义
    一次再结晶：冷变形后的金属加热到一定温度，保温足够时间后，在原来的变形组织中产生了无畸变的新的等轴晶粒，位错密度显著下降，性能发生显著变化恢复到冷变形前的水平，称为（一次）再结晶。它的实质是新的晶粒形核、长大的过程。
    二次再结晶：经过剧烈冷变形的某些金属材料，在较高温度下退火时，会出现反常的晶粒长大现象，即少数晶粒具有特别大的长大能力，逐步吞食掉周围的小晶粒，其最终尺寸超过原始晶粒的几十倍或上百倍，比临界变形后的再结晶晶粒还要粗大得多，这个过程称为二次再结晶。二次再结晶并不是晶粒重新形核和长大的过程，它是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而异常长大，严格来说它是特殊条件下的晶粒长大过程，并非是再结晶过程。
    本质区别：是否有新的形核晶粒。
    2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
    定义
    再结晶晶核长大：是指再结晶晶核形成后长大至再结晶初始晶粒的过程。其长大驱动力是新晶粒与周围变形基体的畸变能差，促使晶核界面向畸变区域推进，界面移动的方向，也就是晶粒长大的方向总是远离界面曲率中心，直至所有畸变晶粒被新的无畸变晶粒代替。
    再结晶后的晶粒长大：是指再结晶晶核长大成再结晶初始晶粒后，当温度继续升高或延长保温时间，晶粒仍然继续长大的过程。此时，晶粒长大的驱动力是晶粒长大前后总的界面能的差，界面移动的方向，也就是晶粒长大的方向都朝向晶界的曲率中心，直至晶界变成平面状，达到界面能最低的稳定状态。
    本质区别：
    A.长大驱动力不同
    B.长大方向不同，即晶界的移动方向不同
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    将冷变形金属热到再结晶温度时，发生再结晶现象。即变形的晶粒重新形核。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    液态金属结晶的基本过程是（）。

    • A、边形核边长大
    • B、先形核后长大
    • C、自发形核非自发形核
    • D、晶枝生长

    正确答案:B

  • 第14题：

    渗碳体的形成过程是由（）过程完成的。

    • A、再结晶
    • B、形成晶核和晶核长大
    • C、奥氏体的长大
    • D、以上均不是

    正确答案:B

  • 第15题：

    结晶过程是（）的过程。

    • A、形核及晶核长大
    • B、形核及晶核转变
    • C、晶核及质点长大
    • D、晶核及质点转变

    正确答案:A

  • 第16题：

    冷形变金属在再结晶时可以亚晶合并、亚晶长大和原晶界弓出三种方式形核。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。


    正确答案: （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
    （2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
    （3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
    （4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
    （5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
    （6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
    （7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
    （8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。

  • 第18题：

    再结晶过程也是形核和长大的过程，所以再结晶过程也是相变过程。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    单选题
    液态金属结晶的基本过程是（）。
    A

    边形核边长大

    B

    先形核后长大

    C

    自发形核非自发形核

    D

    晶枝生长


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    再结晶过程也是形核和长大的过程，所以再结晶过程也是相变过程。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。
    A

    形核率和形核速度

    B

    形核速度和形核面积

    C

    形核率和晶核长大速度

    D

    晶粒度和晶核长大速度


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    在再结晶过程中，晶粒的尺寸随再结晶温度的升高和时间的延长而长大。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    二次再结晶是（）
    A

    相变过程

    B

    形核长大过程

    C

    某些晶粒特别长大的现象


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    再结晶是形核—长大过程，所以也是一个相变过程。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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