1、干法刻蚀技术的类型有A．物理性刻蚀B．化学性刻蚀C．物理化学性刻蚀D．氢氟酸溶液
题目
1、干法刻蚀技术的类型有
A．物理性刻蚀
B．化学性刻蚀
C．物理化学性刻蚀
D．氢氟酸溶液
相似考题
参考答案和解析
ABC
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第1题：
简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
正确答案:物理作用的刻蚀类似于溅射成膜的原理，利用惰性气体的辉光放电产生带正电的离子，在电场作用下加速吸引到下电极上面的基板上，轰击刻蚀薄膜的表面，将薄膜原子轰击出来的过程。常用的惰性气体有氦气（He）、氩气（Ar）等。作用过程完全利用物理上能量的转移进行的，具有很强的刻蚀方向性，可以获得高的各向异性刻蚀断面，线宽控制非常好。
化学作用的刻蚀是一种纯粹的化学反应，利用各种源如射频、微波等，将气体电离产生化学活性极强的原子团、分子团等，扩散到刻蚀薄膜的表面与薄膜发生化学反应，生产易挥发的反应生成物，由真空泵抽离真空反应室。由于只有化学反应发生称之为化学反应刻蚀，类似于湿法刻蚀。只是反应物和生成物都是气态的，且由反应物的等离子体决定刻蚀速率。 -
第2题：
根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
正确答案: 干法刻蚀是采用等离子体进行刻蚀的技术，根据原理分为溅射与离子铣（物理）、等离子刻蚀（化学）、反应离子刻蚀（物理+化学）。
干法刻蚀与湿法刻蚀相比具有以下优点：①刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁控制；②良好的CD控制③最小的光刻胶脱落或粘附问题④良好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性⑤较低的化学制品使用和处理费用
然而干法刻蚀也存在一些缺点，最主要的是对下层材料的选择比不高、等离子体带来的器件损伤以及昂贵的设备。 -
第3题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
- A、干法刻蚀、湿法刻蚀
- B、离子束刻蚀、激光刻蚀
- C、溅射加工、直写加工
- D、以上都可以
正确答案:A -
第4题：
异位修复的各种技术类型有哪些？
正确答案: 化学淋洗、溶剂浸提技术、异位蒸汽抽捉技术、异位固化／稳定化技术、化学脱卤技术、物理分离、异位化学氧化/还原技术、热解吸、异位玻璃化技术、预制床技术、生物反应器技术、厌氧处理技术。 -
第5题：
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀
Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀
Cc.溅射加工、直写加工
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第6题：
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对
B错
正确答案： 错解析： 相反 -
第7题：
填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。正确答案： 残余气体质谱分析、等离子室光发射谱分析和激光干涉解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？正确答案： 传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难进入小尺寸高深宽比图形，反应产物也很难排出。高密度等离子体的离化率达到10%，用于0.25微米以下的工艺。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？正确答案： 不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述干法刻蚀的应用正确答案： 介质——氧化物和氮化硅
硅——多晶硅栅和单晶硅槽
金属——铝和钨解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题什么是干法刻蚀？正确答案： 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题干法刻蚀适用于（） （粗/细）线条。正确答案： 细解析： 暂无解析 -
第13题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备 -
第14题：
在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
正确答案: 光学放射频谱分析是利用检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。光强的变化反映了等离子体中原子或分子浓度的变化，根据检测的不同物质会有刻蚀终点光强增加与减弱两种状态。对于不同的刻蚀薄膜与刻蚀剂，有对应的需要检测的波长。不影响刻蚀的进行，且可对微小变化作出反应。光强正比于刻蚀速率，因此对刻蚀速率较慢的反映难以检测。刻蚀面积过小时，信号强度不足也会导致检测困难，如SiO2接触窗的刻蚀。 -
第15题：
技术创新的类型有哪些？
正确答案: （1）根据技术创新过程中技术变化强度的不同，技术创新可分为渐进性创新和根本性创新。
（2）根据技术创新中创新对象的不同，技术创新可分为产品创新和过程创新。 -
第16题：
（）年发明了摄影技术。摄影的类型有（）
正确答案:1839；新闻、生活、人像、体育、花卉、静物、广告 -
第17题：
问答题干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？正确答案： 物理性刻蚀、化学性刻蚀和物理化学性刻蚀。
1）物理性刻蚀-溅射刻蚀：等离子体中的离子或高能原子对衬底进行轰击，溅射出衬底原子，形成掩蔽膜图形。
2）化学性刻蚀：腐蚀气体等离子化，活性物F.、CF。x与氮化硅、多晶硅等被刻蚀薄膜发生化学反应，生成物被真空泵排除。
3）物理化学性刻蚀（RIE.：RIE是等离子化学性刻蚀和溅射物理性刻蚀现象同时作用的刻蚀，实际是离子辅助刻蚀。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。正确答案： 金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？正确答案： 用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。
分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀等类型。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点正确答案： （1）对材料具有高的选择比
（2）不会对器件带来等离子体损伤
（3）设备简单解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题干法刻蚀有高的还是低的选择比？正确答案： 干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？正确答案： 优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制。
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用。
缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？正确答案： 1.对不需要刻蚀的材料的高选择比
2.获得可接受的产能的刻蚀速率
3.好的侧壁剖面控制
4.好的片内均匀性
5.低的器件损伤
6.宽的工艺制造窗口解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。正确答案： 1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
○1保真度好，图形分辨率高；
○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
缺点：
○1设备复杂
○2选择比不如湿法解析： 暂无解析