比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。 A. GTO B. GTR C. MOSFET

题目

比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。 A. GTO B. GTR C. MOSFET

相似考题

1.SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

2.IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大

3.IGBT是一个复合型的器件,它是( )A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTR&"160;C.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

4.比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。A.GTOB.GTRC.MOSFET

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  • 第1题：

    IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

    A、GTR驱动的MOSFET

    B、MOSFET驱动的GTR

    C、MOSFET驱动的晶闸管

    D、MOSFET驱动的GT0


    参考答案：B

  • 第2题：

    与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。


    正确答案:无二次击穿

  • 第3题：

    GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。


    正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
    （1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
    （2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
    电力晶体管GTR：
    （1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
    门极可关断晶闸管GTO：
    （1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
    电力场效应管MOSFET：
    （1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
    （2）缺点：电流容量小、耐压低。

  • 第5题：

    在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。


    正确答案:MOSFET；GTO；IGBT

  • 第6题：

    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。


    正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。

  • 第9题：

    问答题
    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

    正确答案： IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，ⅠGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

    正确答案： 绝缘栅双极晶体管IGBT：
    （1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
    （2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
    电力晶体管GTR：
    （1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
    门极可关断晶闸管GTO：
    （1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
    电力场效应管MOSFET：
    （1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
    （2）缺点：电流容量小、耐压低。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

    正确答案： Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
    A

    GTO

    B

    GTR

    C

    MOSFET

    D

    IGBT


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。

    A、GTR

    B、SCR

    C、IGBT

    D、GTO


    参考答案：C

  • 第14题：

    已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等


    正确答案:场效应

  • 第15题：

    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？


    正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

  • 第16题：

    现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。

    • A、MOSFET
    • B、IGBT
    • C、晶闸管
    • D、GTR

    正确答案:A,B,C,D

  • 第17题：

    IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第18题：

    下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是（）

    • A、GTO和SCR
    • B、GTR和电力二极管
    • C、GTR和SCR
    • D、GTO和GTR

    正确答案:D

  • 第19题：

    试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。


    正确答案:Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。

  • 第20题：

    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。


    正确答案:SCR；GTO、GTR、MOSFET、IGBT；SCR、GTO、GTR

  • 第21题：

    填空题
    在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。

    正确答案： MOSFET,GTO,IGBT
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。
    A

    GTO和GTR；

    B

    TRIAC和IGBT；

    C

    MOSFET和IGBT；

    D

    SCR和MOSFET；


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

    正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。

    正确答案： SCR,GTO、GTR、MOSFET、IGBT,SCR、GTO、GTR
    解析： 暂无解析

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