离子晶体中,正、负离子配位数比不同的最主要原因是()。A.正、负离子半径B.正、负离子的电荷C.正、负离子的电子构型D.晶格能

题目

离子晶体中,正、负离子配位数比不同的最主要原因是()。

A.正、负离子半径

B.正、负离子的电荷

C.正、负离子的电子构型

D.晶格能


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  • 第1题:

    在电场作用下,电子的运动速度比正、负离子高。

    A

    B



  • 第2题:

    在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子,离子之间以离子键结合。


    正确答案:正确

  • 第3题:

    在电场作用下,电子的运动速度比正、负离子高。


    正确答案:正确

  • 第4题:

    硅酸盐晶体的分类原则是()。

    • A、正负离子的个数
    • B、结构中的硅氧比
    • C、化学组成
    • D、离子半径

    正确答案:B

  • 第5题:

    在晶体CuSO4.5H2O中,中心离子铜的配位数为:()

    • A、2
    • B、4
    • C、5
    • D、6
    • E、8

    正确答案:D

  • 第6题:

    [MgY]2-的中心离子的配位数是(),螯合比是()。


    正确答案:6;1:1

  • 第7题:

    单选题
    离子晶体中,由于离子的极化作用,通常使正负离子间的距离(),离子配位数()。
    A

    增大,降低

    B

    减小,降低

    C

    减小,增大

    D

    增大,增大


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    单选题
    根据鲍林(Pauling)规则,离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时,一价阴离子的配位数为()。
    A

    2

    B

    4

    C

    6

    D

    8


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    填空题
    NaCl型离子晶体负离子属于立方最紧密堆积,其配位数为(),所占空隙为正八面体,所占空隙分数为()。

    正确答案: 6,1
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.225~0.414的范围内时,形成()
    A

    四面体配位

    B

    八面体配位

    C

    平面三角形配位

    D

    立方体配位


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    硅酸盐晶体的分类原则是()。
    A

    正负离子的个数

    B

    结构中的硅氧比

    C

    化学组成

    D

    离子半径


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    CsCl型离子晶体负离子属于简单立方,其配位数为(),所占空隙为立方体,所占空隙分数为()。

    正确答案: 8,1
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。

    • A、离子晶体
    • B、分子晶体
    • C、原子晶体
    • D、金属晶体

    正确答案:A

  • 第14题:

    因为负离子一般比较大,负离子的堆积是离子晶体结构的主要框架,正离子被看成是填充在负离子堆积形成的空隙中。


    正确答案:正确

  • 第15题:

    NaCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为6,ZnS型离子化合物晶胞中正负离子配位数为(),CsCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为()


    正确答案:4;8

  • 第16题:

    在充、放电过程中蓄电池内的导电靠()运动才实现的。

    • A、正离子
    • B、负离子
    • C、正、负离子

    正确答案:C

  • 第17题:

    蛋白质分子可以电离成正、负离子,仅是由于溶液的pH值不同。


    正确答案:错误

  • 第18题:

    在配离子中,中心离子的配位数等于每个中心离子所拥有的配位体的数目。


    正确答案:错误

  • 第19题:

    判断题
    在电场作用下,电子的运动速度比正、负离子高。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    单选题
    热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,()。
    A

    正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小

    B

    正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加

    C

    正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加

    D

    正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.732~1.0的范围内时,形成()
    A

    简单立方配位

    B

    面心立方配位

    C

    简单立方或面心立方配位


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    在充、放电过程中蓄电池内的导电靠()运动才实现的。
    A

    正离子

    B

    负离子

    C

    正、负离子


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    填空题
    MgO具有()型结构,其对称型(),空间群(),属于()晶族和()晶系,正负离子配位数为(),单个晶胞占有正负离子的数目为()。

    正确答案: NaCl,m3m,Fm3m,高级,立方,6,4。
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    单选题
    下列因素对离子晶体晶格能产生影响最大的是(  )。
    A

    正、负离子的半径比

    B

    正、负离子所带的电荷

    C

    晶体类型

    D

    正、负离子的配位数


    正确答案: C
    解析:
    影响晶格能的因素:(1)子的电荷;(2)离子的半径;(3)晶体的结构类型;(4)离子电子层结构类型。晶格能来源于正、负离子的静电作用,故正、负离子所带的电荷对离子晶体晶格能产生影响最大。