设(A)=0AAH,(R0)=55H,C=1,则执行指令: ADDC A, R0 运算结果:(A)=?,AC=?,CY=?,OV=?。
第1题:
已知R1=0x12345678,R2=0x80000101,则执行指令AND R0,R1,R2后,寄存器R0=___【13】____,R2=___【14】____。
第2题:
已知R0=0,R1=10000,R2=20000,指令ADD R0,R1,R2执行后,R0=___【13】____,R1=___【14】____。
第3题:
指令解析:ADD R0,R0,#1
第4题:
已知R1=8,R0=9,执行指令MOV R0,R1,LSR#3后,R0的值为()。
第5题:
MCS-51指令系统中,指令ADDA,R0执行前(A)=38H,(R0)=54H,(C)=1执行后,其结果为()。
第6题:
已知R0=45H,A=0DAH,片内地址45H的字节值为68H,执行指令”AddA,@R0”以后,A、CY、OV分别为()
第7题:
假定A=55H,R3=0AAH,在执行指令ANL A,R3后,A=(),R3=()。
第8题:
已知a=0f8h,当执行adda,#0a9h指令后,psw中ov:0、cy:1、ac:1、p:1a:-95。()
第9题:
假定(A)=85H,(R0)=20H,(20H)=0AFH。执行指令ADD A,@R0后,累加器A的内容为(),CY的内容为(),AC的内容为(),OV的内容为()。
第10题:
假定(A)=85H,(20H)=0FFH,(CY)=1,执行指令ADDC A,20H后,累加器A的内容为(),CY的内容为(),AC的内容为(),OV的内容为()。
第11题:
已知实际电压源的E=18V,内阻R0=3Ω,则等效电流源的电流和内阻分别为()。
第12题:
第13题:
已经R0=8000,R1=8800,执行指令MOV R0,R1, LSR2后,R0=___【13】____,R1=___【14】____。
第14题:
已知R0=0x10,R1=0x20,R2=0x08,R3=0xFFFFFFF3,则指令LSL R0,R0,R2执行后,R0=___【13】___,指令MVN R1,R3执行后R1=___【14】___。
第15题:
已知R1=0x12345678,R2=0x80000101,则执行指令AND R0,R1,R2后,寄存器R0=(),R2=()。
第16题:
设A=55H,R1=0FH,则执行ANL A,R1指令后的结果是A=()H。
第17题:
设DL=0AAH,执行指令后能使DL=55H的指令是()。
第18题:
已知A=92H,当执行ADDA,#0A4H指令后,PSW中的OV、CY、AC、P各为多少?A中的结果用十六进制表示是多少?
第19题:
已知A=0FEH,当执行ADDA,#0FEH指令后,PSW中的OV、CY、AC、P各为多少?A中的结果用十六进制表示是多少?
第20题:
已知(A)=0ABH,(R1)=7FH,执行指令ADDA,R1后,标志位Cy、OV的值是()
第21题:
已知程序执行前,在AT89S51单片机片内RAM中,(A)=85H,(R0)=20H,(20H)=0AFH,(Cy)=1,(21H)=0FFH。写出下列指令独立执行后寄存器和存储单元的内容,若该指令影响标志位,写出CY、AC、OV和P的值。 ADD A,@R0; ADDC A, 21H; SWAP A ; SUBB A,#50H; DEC R0 ; XCHD A,@R0;
第22题:
已知:A=11H,B=04H,执行指令DIV AB后,其结果:A=04H,B=1CY=OV=0。
第23题:
TEST DL,55H
OR AL,55H
NEG DL
XOR DL,0FFH
第24题: