20、0301020硅二极管正向压降在0.3V左右,锗管正向压降在0.7V左右。
第1题:
小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。
第2题:
二极管导通时,正向压降为0.7V。
第3题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第4题:
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。
第5题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第6题:
硅管的正向压降为0.7V。()
第7题:
硅管的正向导通压降大于锗管。
第8题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第9题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第10题:
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。
第11题:
0.1~0.2V/0.3V
0.2~0.3V/0.7V
0.3~0.5V/0.7V
0.5V/0.7V
第12题:
第13题:
锗二极管正向电压超过0.2伏左右,硅管超过0.5伏左右,正向电流很快上升。
第14题:
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
第15题:
锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。
第16题:
锗二极管的正向压降通常为()。
第17题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第18题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第19题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
第20题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第21题:
晶体管的PN结的正向压降为()。
第22题:
锗二极管的正向导通电压为()。
第23题:
锗管为0.3V左右
锗管为0.7V左右
硅管为0.3V左右
硅管为0.7V左右
第24题: