磁半导体的发明是将霍尔效应和光电效应组合后研制的。
第1题:
压阻式压力传感器是利用()的原理(半导体材料受压时电阻车发生变化)直接将压力转换为电信号
第2题:
当在半导体的晶体结构上加以压力,会暂时改变晶体结构的对称性,因而改变了半导体的导电结构,表现为它的电阻率ρ的变化,这一物理现象称为()
第3题:
霍尔元件是采用半导体材料制成的。
第4题:
基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。
第5题:
霍尔元件是利用半导体元件的()特性工作的。
第6题:
为了增大霍尔元件的灵敏度,霍尔元件多选用()制作。
第7题:
半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的霍尔效应。
第8题:
基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件。
第9题:
金属材料的霍尔效应比半导体材料的霍尔效应强。
第10题:
霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。
第11题:
电子对效应和光电效应
光核反应和光电效应
相干散射和康普顿效应
光电效应和康普顿效应
相干散射和光电效应
第12题:
磁感式、霍尔式、光电式
磁感式、霍尔式、磁脉冲式
磁感式、磁脉冲式、光电式
磁感式、霍尔式、开关式
第13题:
置于磁场中的导体或半导体薄片,当有电流通过时,在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势,称之为()
第14题:
用霍尔法测磁感应强度时,霍尔片上除了不等势电压外,还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应,这些副效应大多通过()方法,即改变()和()的方向加以消除。如果电流沿X轴方向,磁场沿Z轴方向,由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向,则此霍尔元件是由()(填N型或P型)半导体材料制造的。
第15题:
光电效应分为外光电效应和内光电效应。
第16题:
压磁式传感器的原理是利用铁磁材料的()。
第17题:
电子点火常用的传感器有()三种。
第18题:
磁敏二极管是利用霍尔效应进行磁电转换的半导体磁敏元件。
第19题:
磁敏二极管是继霍尔传感器元件后发展起来的一种新型半导体磁敏元件,它是利用()进行磁电转换的。
第20题:
半导体式传感器是磁敏、霍尔元件、气敏传感器、压阻传感器及色敏传感器等
第21题:
霍尔元件具有将磁信号转变成()信号的能力。
第22题:
红旗CA770轿车上采用()式高能电子点火系统有停机断电及恒电流控制功能。
第23题:
第24题: