霍尔电势与（）成反比。A．激励电流B．磁感应强度C．霍尔器件宽度D．霍尔器件厚度

题目

霍尔电势与（）成反比。

A．激励电流

B．磁感应强度

C．霍尔器件宽度

D．霍尔器件厚度

相似考题

1.霍尔电势与磁感应强度和电流成反比。()此题为判断题(对，错)。

2.霍尔式压力传感器利用霍尔元件将压力所引起的弹性元件（）转换为霍尔电势实现压力测量。A、变形B、弹力C、电势D、位移

3.霍尔电势

4.霍尔电压与通过霍尔元件的电流和磁感应强度成反比。

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  • 第1题：

    霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的（）转换成霍尔电势，从而实现压力测量。

    • A、变形
    • B、弹力
    • C、电势
    • D、位移

    正确答案:D

  • 第2题：

    霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    霍尔电势公式中的角θ是指（）。

    • A、磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角
    • B、磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角
    • C、磁力线与霍尔薄片垂线之间的夹角

    正确答案:C

  • 第4题：

    霍尔效应中，霍尔电势与（）

    • A、激磁电流成反比
    • B、激磁电流平方成反比
    • C、磁感应强度成正比
    • D、磁感应强度成反比

    正确答案:C

  • 第5题：

    霍尔元件越薄，霍尔电势就越大。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？霍尔元件常采用什么材料？为什么？


    正确答案: 通电的导体放在磁场中，电流方向与磁场方向垂直，在导体另外两侧会产生感应电动势，这种现象称为霍尔效应。
    与输入电流I，磁感应强度B，霍尔元件的灵敏度系数KB有关。EB=KBIB 霍尔元件常采用半导体材料，因为半导体材料的电子迁移率μ和载流子浓度n适中。一般采用N型半导体。

  • 第7题：

    简述霍尔片不等位电势的产生原因？减少不等位电势的方法？


    正确答案: 产生：受到了电场或磁场的干扰
    方法：采用电流和磁场换向的对称测量法。

  • 第8题：

    什么是霍尔电势？霍尔电势与哪些因素有关？


    正确答案: 当一块半导体薄片置于磁场中有电流流过时，电子将受到洛伦兹力的作用而发生偏转，在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势。
    因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度

  • 第9题：

    霍尔元件所产生的霍尔电势与元件所在磁场的磁感应强度有关。


    正确答案:正确

  • 第10题：

    问答题
    什么是霍尔效应？影响霍尔电势的因素有哪些？

    正确答案： 当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。
    因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    霍尔效应中，霍尔电势与（）
    A

    霍尔常数成正比

    B

    霍尔常数成反比

    C

    霍尔元件的厚度成正比


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下列关于霍尔效应描述中，正确的是（）。
    A

    霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱，由材料的物理性质决定

    B

    霍尔系数越大，霍尔电势越小

    C

    霍尔元件的厚度越大，霍尔电势越大

    D

    磁场的磁感应强度越大，霍尔电势越小


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    关于霍尔电势下列说法正确的是（）。

    • A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度
    • B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比
    • C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比
    • D、以上说法都对

    正确答案:D

  • 第15题：

    简述霍尔电势产生的原理。


    正确答案:一块半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中，当有电流I流过时，电子受到洛仑兹力作用而发生偏转。结果在半导体的后端面上电子有所积累。而前端面缺少电子，因此后端面带负电，前端面带正电，在前后端面形成电场，该电场产生的力阻止电子继续偏转当两力相平衡时，电子积累也平衡，这时在垂直于电流和磁场的方向上将产生电场，相应的电势称为霍尔电势UH。

  • 第16题：

    霍尔效应中，霍尔电势与（）

    • A、激磁电流成反比
    • B、工作电流成反比
    • C、磁感应强度成正比
    • D、试样厚度成正比

    正确答案:C

  • 第17题：

    什么叫霍尔效应、霍尔电势和霍尔元件？霍尔元件采用何种材料？由什么组成？霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？


    正确答案:金属或半导体薄片置于磁场中，沿着垂直于磁场的方向通以电流，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应，所产生的电动势称为霍尔电势。基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。霍尔片是一块半导体单晶薄片（一般为4×2×0.1mm3），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。
    霍尔元件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
    霍尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
    温度补偿方法有分流电阻法和电桥补偿法。

  • 第18题：

    什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？影响霍尔电势的因素有哪些？


    正确答案: 当把一块金属或半导体薄片垂直放在磁感应强度为B的磁场中，沿着垂直于磁场方向通过电流，就会在薄片的另一对侧面间产生电动势UH，这种现象称为霍尔效应，所产生的电动势称为霍尔电动势。
    霍尔电动势的大小正比于激励电流Ic与磁感应强度B，且当Ic或B的方向改变时，霍尔电动势UH的方向也随着改变，但当Ic和的B方向同时改变时霍尔电动势UH极性不变。
    影响因素：电流的大小，载流子浓度，电子速度，薄片面积。

  • 第19题：

    在霍尔式传感器中，霍尔电势反比于磁场强度。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    什么是霍尔效应？影响霍尔电势的因素有哪些？


    正确答案: 当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。
    因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度

  • 第21题：

    霍尔电势与控制电流成反比，与磁场强度成正比。


    正确答案:错误

  • 第22题：

    单选题
    霍尔电势公式中的角θ是指（）。
    A

    磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角

    B

    磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角

    C

    磁力线与霍尔薄片垂线之间的夹角


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是霍尔电势？霍尔电势与哪些因素有关？

    正确答案： 当一块半导体薄片置于磁场中有电流流过时，电子将受到洛伦兹力的作用而发生偏转，在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势。
    因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    霍尔传感器的霍尔电势UH为（）若改变（）或（）就能得到变化的霍尔电势。

    正确答案： KHIB,I,B
    解析： 暂无解析

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