半导体载流子在运动中遭到散射的根本原因是周期性势场被破坏。
题目
半导体载流子在运动中遭到散射的根本原因是周期性势场被破坏。
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第1题：
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
- A、变大，变小
- B、变小，变大
- C、变小，变小
- D、变大，变大
正确答案:A -
第2题：
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
正确答案:自由电子；空穴 -
第3题：
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴 -
第4题：
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
正确答案:P（空穴）型；空穴；N（电子）型；电子 -
第5题：
在半导体中，自由电子和空穴都是载流子。
正确答案:正确 -
第6题：
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
正确答案:少 -
第7题：
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
正确答案:自由电子；空穴 -
第8题：
半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（）运动，另一种称为（）运动。
正确答案:扩散；漂移 -
第9题：
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
正确答案:空穴；电子 -
第10题：
在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。
正确答案:多数；少数 -
第11题：
单选题杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）A变大，变小
B变小，变大
C变小，变小
D变大，变大
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题能带理论是建立在（）的基本假设之上的。A周期性势场
B恒定势场
C无势场
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第13题：
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
正确答案:五；自由电子；空穴；正 -
第14题：
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
正确答案:空穴 -
第15题：
P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
正确答案:空穴;自由电子 -
第16题：
半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
正确答案:自由电子；空穴；三价元素 -
第17题：
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
正确答案:电子；空穴 -
第18题：
半导体中的扩散运动是由于载流子（）而引起的。
正确答案:浓度的不均匀 -
第19题：
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。 -
第20题：
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
正确答案:五价；电子；空穴 -
第21题：
在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
正确答案:错误 -
第22题：
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）
- A、电子载流子
- B、空穴载流子
- C、电子载流子和空穴载流子
正确答案:C -
第23题：
填空题在半导体材料中，载流子散射主要有两方面的原因：（）和（）。正确答案： 电离杂质散射;晶格振动散射解析： 暂无解析 -
第24题：
填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。正确答案： 电子,空穴,电子,空穴,空穴,本证解析： 暂无解析