施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。对吗？

题目

施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。对吗？

相似考题

1.施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压

2.EISU通用DI测量通道高电平阈值电压（）A、大于等于2VB、小于等于2VC、大于等于3VD、小于等于3V

3.MISUPA中，低电平阈值电压是小于（）A、0.5B、0.8C、1D、2

4.在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。

参考答案和解析
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  • 第1题：

    MISUPA中，高电平阈值电压是大于（）

    • A、0.5
    • B、1
    • C、2
    • D、5

    正确答案:C

  • 第2题：

    混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε，Δε大，有利于降低液晶的阈值电压。（）


    正确答案:正确

  • 第3题：

    迟滞比较器的回差电压△U是指（）。

    • A、正向阈值电压与负向阈值电压之差
    • B、最大输出正电压与负电压之差
    • C、最大输入电压与最小输入电压之差
    • D、输出电压与输人电压之差

    正确答案:A

  • 第4题：

    EISU通用AI/DI测量通道低电平阈值电压（）

    • A、大于等于0.8V
    • B、小于等于0.8V
    • C、大于等于1V
    • D、小于等于1V

    正确答案:B

  • 第5题：

    施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    问答题
    试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。

    正确答案： 当MOS工艺发展到亚微米、深亚微米水平后，必须考虑二阶效应。这时，随着沟道长度L的减小，阈值电压将减小；随着沟道宽度W的减小，阈值电压将增大。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？

    正确答案： 引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。往往用离子注入技术改变沟道区的掺杂浓度，从而改变阈值电压。夹断电压。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

    正确答案： 对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压，此时不存在衬偏效应。而当PMOS中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压>0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。
    影响：使得PMOS阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    地貌等高线的形状化简的基本原则是（）。
    A

    以正向形态为主的地貌，扩大负向形态，减少正向形态

    B

    协调和其他要素的关系

    C

    以负向形态为主的地貌，扩大负向形态，减少正向形态

    D

    以正向形态为主的地貌，扩大正向形态，减少负向形态

    E

    以负向形态为主的地貌，扩大正向形态，减少负向形态


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    改变氧化层厚度可以控制阈值电压。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
    A

    大于零

    B

    等于零

    C

    大于0.7V

    D

    小于零


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系？采取什么方式或手段以调整VT大小？影响VT的其它因素有哪些？

    正确答案： MOS管的阈值电压VT与衬底的掺杂浓度Na密切相关，掺杂浓度越大，VT的值越大。
    用离子注入的方法可以控制Na，从而调整必要的VT的值材料的功函数之差。
    SIO2层中的可移动的正离子、氧化层中固定电荷、界面势阱。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    阈值电压


    正确答案: 液晶显示器件显示部分亮度（光透过率或反射率）的变化达到最大变化量的10%时（不包括跳变），施加的驱动电压的有效值称为阈值电压（Uth）。低于此电压时，器件的电光特性只有微小的变化，高于此值时，透过率显著变化。

  • 第14题：

    用555定时器构成的施密特触发器，若电源电压为VCC，控制端不外接固定电压，则其上限阈值电压为（）。

    • A、1/3VCC
    • B、2/3VCC
    • C、VCC
    • D、1/2VCC

    正确答案:B

  • 第15题：

    滞回比较器的回差ΔU是指（）。

    • A、正向阈值电压UTH1与负向阈值电压UTH2之差；
    • B、最大输出正电压和负电压之差；
    • C、最大输入电压与最小输入电压之差

    正确答案:A

  • 第16题：

    比较器（）电平发生跳变时的（）电压称为阈值电压，过零电压比较器的阈值电压是（）。只有一个阈值电压的比较器称为（）比较器；而具有两个阈值电压的比较器称为（）比较器。


    正确答案:输出；输入；0V；单门限；单值或简单、迟滞或滞回

  • 第17题：

    TTL与非门阈值电压UT的典型值是（）

    • A、0.4V
    • B、1.4V
    • C、2V
    • D、2.4V

    正确答案:B

  • 第18题：

    问答题
    什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？

    正确答案： 阈值电压Vt是使半导体表面达到强反型所需加的栅极电压。它受衬底掺杂浓度、体效应、半导体材料的费米势等的影响。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？

    正确答案： 增强型和耗尽型
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    什么是MOS管的阈值电压？

    正确答案： 引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    名词解释题
    阈值电压

    正确答案： 达到阈值反型点所需的栅压。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？

    正确答案： P型杂质增加、N型杂质降低。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）

    正确答案： 体效应
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    用555定时器构成的施密特触发器，若电源电压为VCC，控制端不外接固定电压，则其上限阈值电压为（）。
    A

    1/3VCC

    B

    2/3VCC

    C

    VCC

    D

    1/2VCC


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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