在数字电路中，晶体三极管工作在深度饱和状态时，其CE结之间的压降一般仅为 V。

题目

在数字电路中，晶体三极管工作在深度饱和状态时，其CE结之间的压降一般仅为 V。

相似考题

1.在单级共射极放大电路中,为了使工作在饱和状态的晶体三极管进入放大状态,可采用的办法是( ):A 减小IB B 提高V G的绝对值C 减小 R C的值D 减小R B

2.为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。()此题为判断题(对，错)。

3.当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（）。A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.无法判定

4.数字电路中晶体三极管工作在放大状态()此题为判断题(对，错)。

更多“在数字电路中，晶体三极管工作在深度饱和状态时，其CE结之间的压降一般仅为 V。”相关问题

  • 第1题：

    晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）

    A.发射结、集电结均正偏
    B.发射结、集电结均反偏
    C.发射结正偏、集电结反偏
    D.发射结反偏、集电结正偏

    答案：A
    解析：

  • 第2题：

    当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。

    • A、放大状态
    • B、饱和状态
    • C、截止状态

    正确答案:A

  • 第3题：

    在数字电路中，晶体管作为开关应用，因此，它始终（）。

    • A、工作在放大区
    • B、工作在截止区
    • C、工作在饱和区
    • D、在截止和饱和状态间转换。

    正确答案:D

  • 第4题：

    电源电压等于＋12V，三极管若工作在饱和状态时其集电极与发射极之间饱和压降为（）

    • A、6V
    • B、12V
    • C、≈0.3V
    • D、－12V

    正确答案:C

  • 第5题：

    数字电路中，晶体三极管主要工作在截止区和饱和区。38


    正确答案:正确

  • 第6题：

    晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是饱和状态


    正确答案:错误

  • 第7题：

    当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。

    • A、放大状态
    • B、饱和状态
    • C、截止状态
    • D、无能确定

    正确答案:D

  • 第8题：

    晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）

    • A、发射结正偏，集电结正偏
    • B、发射结正偏，集电结反偏
    • C、发射结反偏，集电结正偏
    • D、发射结反偏，集电结反偏

    正确答案:A

  • 第9题：

    电源电压等于12V，晶体三极管若工作在饱和状态时，其集电极与发射极之间饱和压降为（）。

    • A、约6V
    • B、约12V
    • C、约0.3V
    • D、约-12V

    正确答案:C

  • 第10题：

    测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。

    • A、放大状态
    • B、饱和状态
    • C、截止状态
    • D、反向放大状态

    正确答案:B

  • 第11题：

    判断题
    数字电路中，晶体三极管主要工作在截止区和饱和区。38
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    电源电压等于12V，晶体三极管若工作在饱和状态时，其集电极与发射极之间饱和压降为（）。
    A

    约6V

    B

    约12V

    C

    约0.3V

    D

    约-12V


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管工作在饱和状态时其发射结正偏集电结反偏。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    数字电路中晶体三极管工作在放大状态。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）。

    • A、发射结、集电结均正偏
    • B、发射结、集电结均反偏
    • C、发射结正偏、集电结反偏
    • D、发射结反偏、集电结正偏

    正确答案:A

  • 第16题：

    晶体三极管工作在放大区时，集电结（），发射结应（）。


    正确答案:反偏置、正偏置

  • 第17题：

    为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）


    正确答案:错误

  • 第19题：

    当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。


    正确答案:增加；减小

  • 第20题：

    晶体三极管工作在放大状态时，其发射结应正偏，集电结应（）


    正确答案:反偏

  • 第21题：

    晶体三极管工作于饱和状态时，则（）。

    • A、发射结正偏，集电结反偏
    • B、发射结正偏，集电结正偏
    • C、发射结反偏，集电结反偏
    • D、发射结反偏，集电结正偏

    正确答案:B

  • 第22题：

    晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态和截止状态的。


    正确答案:正确

  • 第23题：

    填空题
    当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。

    正确答案： 增加,减小
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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