某半导体芯片厂使用光电干涉法测厚仪测量芯片镀膜的厚度,公差限为100050A,生产过程实际标准差σ(P)=15A。测量仪器是数字显示的,考虑可能造成测量系统波动的原因一是不同的测量时刻,二是每次将样件装置于测量底架时的装上卸下的循环。现选用一片芯片,在三个不同时刻各进行装上卸下的3次循环,每次循环重复测量2次,则此时的再现性是指:()A.同一时刻同一循环的测量所得结果的一致性B.同一时刻不同循环的测量所得结果的一致性C.不同时刻不同循环的测量所得结果的一致性D.不同时刻同一循环的测量所得结果的一致性
题目
某半导体芯片厂使用光电干涉法测厚仪测量芯片镀膜的厚度,公差限为100050A,生产过程实际标准差σ(P)=15A。测量仪器是数字显示的,考虑可能造成测量系统波动的原因一是不同的测量时刻,二是每次将样件装置于测量底架时的装上卸下的循环。现选用一片芯片,在三个不同时刻各进行装上卸下的3次循环,每次循环重复测量2次,则此时的再现性是指:()
A.同一时刻同一循环的测量所得结果的一致性
B.同一时刻不同循环的测量所得结果的一致性
C.不同时刻不同循环的测量所得结果的一致性
D.不同时刻同一循环的测量所得结果的一致性