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  • 第1题:

    场效应管的沟道完全夹断后,其漏极电流iD( )。

    A.很大

    B.随VDS变化

    C.较小

    D.等于0


    正确答案:D

  • 第2题:

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第3题:

    晶闸管工作过程中,管子本身的损耗等于管子两端的电压乘以()。

    A、阳极电流

    B、门极电流

    C、阳极电流与门极电流之差

    D、阳极电流与门极电流之和


    参考答案:A

  • 第4题:

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。

    • A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量
    • C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第5题:

    在FBE涂料施工后,首先要发生的事是?()

    • A、真空清洁
    • B、淬火
    • C、漏涂点检测
    • D、管子逆电流器施工

    正确答案:B

  • 第6题:

    半导体二极管的正向导通电阻的大小()

    • A、为一常数,与工作电流无关
    • B、不为常数,随电流加大而减小
    • C、不为常数,随工作电流加大而加大
    • D、不为常数,随电流加大先减小后加大

    正确答案:B

  • 第7题:

    场效应管是通过()改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第8题:

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道;感生电荷

  • 第9题:

    当场效应管被预夹断后,ID将随VDS的增大而()

    • A、增大
    • B、减小
    • C、不变
    • D、略微增大

    正确答案:D

  • 第10题:

    在晶闸管工作过程中,管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以()

    • A、阳极电流
    • B、门极电流
    • C、阳极电流与门极电流之差
    • D、阳极电流与门极电流之和

    正确答案:A

  • 第11题:

    名词解释题
    漏极饱和电流

    正确答案: 当栅源电压UGS=0时的漏极电流称为漏极饱和电流。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    在FBE涂料施工后,首先要发生的事是?()
    A

    真空清洁

    B

    淬火

    C

    漏涂点检测

    D

    管子逆电流器施工


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    场效应晶体管是用()控制漏极电流的。

    A、栅源电流

    B、栅源电压

    C、漏源电流

    D、漏源电压


    参考答案:B

  • 第14题:

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案:B

  • 第15题:

    二极管的反向电流IR是管子未()时反向电流的数值,反向电流越(),管子的单向导电性能越()。


    正确答案:击穿;小;好

  • 第16题:

    MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。


    正确答案:错误

  • 第17题:

    由两个N区夹着一个P区,漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子,我们称其为N型沟道场效应管。


    正确答案:错误

  • 第18题:

    使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为(夹断)电压,N沟道JFET的UGS(off)()0,P沟道JFET的UGS(off)()0。


    正确答案:<;>

  • 第19题:

    二极管最大整流电流是指管子未击穿时的反向电流。


    正确答案:错误

  • 第20题:

    通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时,仍有正常的放大作用。


    正确答案:正确

  • 第21题:

    漏极饱和电流


    正确答案: 当栅源电压UGS=0时的漏极电流称为漏极饱和电流。

  • 第22题:

    可控硅的门极触发电流是从()极流入晶闸管。

    • A、阳极
    • B、门极
    • C、阴极
    • D、漏极

    正确答案:B

  • 第23题:

    填空题
    在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

    正确答案: 沟道夹断,载流子漂移速度的饱和
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是()。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案: A,B
    解析: 暂无解析