JFET发生预夹断后,管子的漏极电流加大。
第1题:
场效应管的沟道完全夹断后,其漏极电流iD( )。
A.很大
B.随VDS变化
C.较小
D.等于0
第2题:
功率MOSFET的极限参数指的是( )。
A、最大漏极电流
B、最小漏极电流
C、最大许用漏-源电压
D、最小许用漏-源电压
第3题:
A、阳极电流
B、门极电流
C、阳极电流与门极电流之差
D、阳极电流与门极电流之和
第4题:
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。
第5题:
在FBE涂料施工后,首先要发生的事是?()
第6题:
半导体二极管的正向导通电阻的大小()
第7题:
场效应管是通过()改变漏极电流的。
第8题:
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。
第9题:
当场效应管被预夹断后,ID将随VDS的增大而()
第10题:
在晶闸管工作过程中,管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以()
第11题:
第12题:
真空清洁
淬火
漏涂点检测
管子逆电流器施工
第13题:
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。
A、栅源电流
B、栅源电压
C、漏源电流
D、漏源电压
第14题:
A、栅极电流
B、栅源电压
C、源极电压
D、源极电流
第15题:
二极管的反向电流IR是管子未()时反向电流的数值,反向电流越(),管子的单向导电性能越()。
第16题:
MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。
第17题:
由两个N区夹着一个P区,漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子,我们称其为N型沟道场效应管。
第18题:
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为(夹断)电压,N沟道JFET的UGS(off)()0,P沟道JFET的UGS(off)()0。
第19题:
二极管最大整流电流是指管子未击穿时的反向电流。
第20题:
通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时,仍有正常的放大作用。
第21题:
漏极饱和电流
第22题:
可控硅的门极触发电流是从()极流入晶闸管。
第23题:
第24题:
最大漏极电流
最小漏极电流
最大许用漏-源电压
最小许用漏-源电压