晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

题目

晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

相似考题

1.晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()此题为判断题(对，错)。

2.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

3.三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

4.三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

更多“晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。”相关问题

  • 第1题：

    晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()


    正确答案:对

  • 第2题：

    晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：对

  • 第3题：

    关于三极管,不正确的描述是()

    A.基区薄且低掺杂

    B.发射区高掺杂

    C.发射结面积大

    D.集电结面积大


    答案：B

  • 第4题：

    在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

    • A、基区
    • B、集电区
    • C、发射区
    • D、饱和区

    正确答案:C

  • 第5题：

    晶体管分为三层分别为（）

    • A、发射区
    • B、放大区
    • C、集电区
    • D、基区
    • E、扩张区

    正确答案:A,C,E

  • 第6题：

    三极管具有（）的特点。

    • A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
    • B、基区非常薄
    • C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大
    • D、以上三项

    正确答案:D

  • 第7题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。

    • A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
    • B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
    • C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏
    • D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏

    正确答案:A

  • 第8题：

    由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。


    正确答案:高；窄；低；大；正向；反向

  • 第10题：

    以下属于三极管放大的外部条件是（）

    • A、发射区掺杂浓度高
    • B、集电结反偏
    • C、基区薄且掺杂浓度低
    • D、集电结面积大

    正确答案:B

  • 第11题：

    填空题
    在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。

    正确答案： 减小,降低
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。

    正确答案： 注入效率,下降,发射区禁带变窄,俄歇复合增强
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

    A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

    B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

    C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏

    D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏


    参考答案：A

  • 第14题：

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案：D

  • 第15题：

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第16题：

    晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第19题：

    当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。

    • A、增大基区掺杂浓度
    • B、减小基区宽度
    • C、减小发射结面积
    • D、增大集电区杂质浓度

    正确答案:D

  • 第20题：

    关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）

    • A、基区很薄
    • B、基区掺杂浓度最高
    • C、发射区掺杂浓度最高
    • D、发射结的结面积小于集电结的结面积

    正确答案:B

  • 第21题：

    为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄？


    正确答案:由于基区和发射区载流子是不同类型的，因此发射区的多数载流在正向电压的作用下扩散到基区后，要与基区的多数载流子复合。为使较多的载流子到达集电区，发射区扩散到基区的载流子应尽快通过基区，因而基区要做得薄一些。另外，基区的多数载流子浓度要较小，即掺杂浓度要小。

  • 第22题：

    晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。


    正确答案:正确

  • 第23题：

    填空题
    无源基区重掺杂的目的是（）。

    正确答案： 为了降低体电阻
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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