理想二极管导通后其管压降可以忽略。

第1题：

第2题：

型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。

• A、1V
• B、0.2V
• C、0.6V

正确答案:C

第3题：

二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。

• A、为零
• B、硅管0.7V，锗管0.3V
• C、等于电路电压
• D、电压不变

正确答案:B

第4题：

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）

正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

第5题：

晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。

正确答案:正反；反向；0.7V；0.2V

第6题：

常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

第7题：

晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

第8题：

从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

• A、0
• B、死区电压
• C、反向击穿电压
• D、正向压降

正确答案:B

第9题：

二极管当正向电压超过U_VD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。

正确答案:0.7V；0.3 V

第10题：

硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压V_th约为（）伏。

正确答案:0.7；0.5

第11题：

绿色发光二极管的导通压降大概是多少伏？

正确答案: 2V左右。

第12题：

第13题：

二极管导通状态描述错误的是（）

• A、锗二极管的导通电压为0.3V左右
• B、硅二极管的导通电压为0.6V左右
• C、二极管导通后，其导通电流不变
• D、二极管导通后，其导通电压不变

正确答案:D

第14题：

二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。

• A、0.2
• B、0.3
• C、0.5
• D、0.7

正确答案:D

第15题：

硅二极管导通后的管压降是（）伏。

正确答案:0.7

第16题：

二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。

正确答案:正向导通；反向截止；0.7

第17题：

实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。

正确答案:0.7V；0.2V

第18题：

硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。

正确答案:0.7；0.2

第19题：

在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

正确答案:0.5V；0.7V

第20题：

在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。

正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

第21题：

在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

第22题：

试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

正确答案:若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N^-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N^-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。

第23题：

第24题：