磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,若磁场方向相反(θ=180°)时,霍尔电动势(),因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
A.绝对值相同,符号相反
B.绝对值相同,符号相同
C.绝对值相反,符号相同
D.绝对值相反,符号相反
第1题:
第2题:
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()
第3题:
霍尔式曲轴位置传感器是利用触发叶片或齿轮改变通过霍尔元件的磁场强度,使霍尔元件产生脉冲的霍尔电压信号,经放大整形而输出信号的。()
第4题:
置于磁场中的导体或半导体薄片,当有电流通过时,在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势,称之为()
第5题:
霍尔式速度传感器测量不准的原因不包括()。
第6题:
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()
第7题:
霍尔元件产生的霍尔电动势极性与()有关。
第8题:
半导体薄片置于磁场中,当有电流流过是,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种现象称为()。
第9题:
霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。
第10题:
霍尔元件所产生的霍尔电势与元件所在磁场的磁感应强度有关。
第11题:
霍尔元件的材质
元件的尺寸
控制电流i
元件所在磁场的磁感应强度
电流i与磁场方向的夹角
第12题:
电压
磁场
频率
温度
第13题:
霍尔效应的原因是()
第14题:
霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于().
第15题:
霍尔式曲轴位置传感器利用触发叶片改变通过霍尔元件的磁场强度,从而使霍尔元件产生脉冲的霍尔()信号,即为曲轴位置传感器的输出信号。
第16题:
霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E,其大小与()所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。
第17题:
用霍尔法测磁感应强度时,霍尔片上除了不等势电压外,还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应,这些副效应大多通过()方法,即改变()和()的方向加以消除。如果电流沿X轴方向,磁场沿Z轴方向,由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向,则此霍尔元件是由()(填N型或P型)半导体材料制造的。
第18题:
当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时,在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压,这个电压叫做霍尔电压。
第19题:
如果没有磁场,能否便用霍尔元件,为什么?
第20题:
金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为()。
第21题:
霍尔传感器产生的霍尔电压大小,与()有关。
第22题:
对
错
第23题:
垂直于霍尔元件的磁感应强度
输入端电流
电流与磁场方向的夹角余弦
电流通过的时间
电流与磁场方向的夹角余切
第24题:
霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱,由材料的物理性质决定
霍尔系数越大,霍尔电势越小
霍尔元件的厚度越大,霍尔电势越大
磁场的磁感应强度越大,霍尔电势越小