气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。A．①②③B．①③②C．②①③D．③①②

题目

气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。

A．①②③

B．①③②

C．②①③

D．③①②

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1.下列关于胎盘组成的叙述，正确的是( )A、平滑绒毛膜+包蜕膜+羊膜B、平滑绒毛膜+底蜕膜+真蜕膜C、叶状绒毛膜+包蜕膜+真蜕膜D、叶状绒毛膜+底蜕膜+羊膜E、叶状绒毛膜+真蜕膜+底蜕膜

2.不可以作为芯片固相载体的有A、玻片B、硝酸纤维素膜C、硅片D、尼龙膜E、滤纸

3.关于胎盘的组成,正确的是()。A.羊膜、平滑绒毛膜、真蜕膜B.羊膜、叶状绒毛膜、真蜕膜C.羊膜、叶状绒毛膜、底蜕膜D.羊膜、平滑绒毛膜、底蜕膜E.羊膜、底蜕膜

4.有关胎盘的组织下列哪项是正确的A．平滑绒毛膜、包蜕膜、羊膜B．平滑绒毛膜、底蜕膜、真蜕膜C．叶状绒毛膜、包蜕膜、真蜕膜D．叶状绒毛膜、底蜕膜、羊膜E．叶状绒毛膜、底蜕膜、真蜕膜

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  • 第1题：

    “要向硅片挑战，DNA还有很长的路要走”的意思是（ ）。

    A.DNA的计算速度远远落后于硅片

    B.硅片的工作效率低于DNA

    C.DNA的配置不如硅片

    D.DNA蕴含的信息不如硅片蕴含的信息多


    正确答案：A
    A【解析】由第三段内容知BD两项内容是错误的，C项的内容无法从短文中获知；故正确答案为A。

  • 第2题：

    例出典型的硅片湿法清洗顺序。


    正确答案:硅片清洗步骤：
    （1）H2SO4/H2O2（piranha）：有机物和金属；
    （2）UPW清洗（超纯水）：清洗；
    （3）HF/H2O（稀HF）：自然氧化层；
    （4）UPW清洗：清洗；
    （5）NH4OH/H2O2/H2O（SC-1）：颗粒；
    （6）UPW清洗：清洗；
    （7）HF/H2O：自然氧化层；
    （8）UPW清洗：清洗；
    （9）HCL/H2O2/H2O（SC-2）：金属；
    （10）UPW清洗：清洗；
    （11）HF/H2O：自然氧化层；
    （12）UPW清洗：清洗；
    （13）干燥：干燥。

  • 第3题：

    化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。


    正确答案:酸性；氧化性

  • 第4题：

    用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。

    • A、重要步骤
    • B、次要步骤
    • C、首要步骤
    • D、不一定

    正确答案:C

  • 第5题：

    制作太阳电池的工艺中不包括下列哪个方面（）。

    • A、硅片表面准备
    • B、制备防透膜
    • C、去背结
    • D、制结

    正确答案:B

  • 第6题：

    单选题
    不可以作为芯片固相载体的有（）
    A

    玻片

    B

    硝酸纤维素膜

    C

    硅片

    D

    尼龙膜

    E

    滤纸


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    硅片制备主要工艺流程是（）
    A

    单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

    B

    单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

    C

    单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包

    D

    单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？

    正确答案： 整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。

    正确答案： 硅衬底,微芯片,芯片
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？

    正确答案： 腐蚀方式：喷淋及浸泡
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述硅片清洗目标

    正确答案： 去除所有表面沾污（颗粒、有机物、金属、自然氧化层）
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    胎盘的组成，正确的是

    A、滑泽绒毛膜+包蜕膜+羊膜
    B、滑泽绒毛膜+底蜕膜+真蜕膜
    C、叶状绒毛膜+包蜕膜+真蜕膜
    D、叶状绒毛膜+底蜕膜+羊膜
    E、叶状绒毛膜+真蜕膜+底蜕膜

    答案：D
    解析：
    胎盘由羊膜、叶状绒毛膜和底蜕膜组成。

  • 第14题：

    将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？


    正确答案:整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。

  • 第15题：

    在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。

    • A、耐热陶瓷器皿
    • B、金属器皿
    • C、石英舟
    • D、玻璃器皿

    正确答案:C

  • 第16题：

    锌镀层高铬钝化时，根据钝化膜的形成环境，我们称之为（）。

    • A、气相成膜
    • B、液相成膜
    • C、铬酸成膜
    • D、硫酸成膜

    正确答案:A

  • 第17题：

    单选题
    刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
    A

     有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状

    B

     在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形

    C

     变成刻蚀介质以形成一个凹槽

    D

     在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么？

    正确答案： 清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？

    正确答案： 包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀？

    正确答案： 工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
    A

    单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

    B

    单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

    C

    单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

    D

    单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    构成胎盘组织正确的是（　）
    A

    平滑绒毛膜、包蜕膜、羊膜

    B

    平滑绒毛膜、底蜕膜、真蜕膜

    C

    叶状绒毛膜、包蜕膜、真蜕膜

    D

    叶状绒毛膜、底蜕膜、真蜕膜

    E

    叶状绒毛膜、底蜕膜、羊膜


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    关于胎盘的组成的描述正确的是（　　）。
    A

    叶状绒毛膜、真蜕膜、底蜕膜

    B

    叶状绒毛膜、羊膜、底蜕膜

    C

    滑泽绒毛膜、羊膜、包蜕膜

    D

    滑泽绒毛膜、真蜕膜、底蜕膜

    E

    叶状绒毛膜、包蜕膜、真蜕膜


    正确答案： B
    解析：
    胎盘由羊膜、叶状绒毛膜及底蜕膜组成。

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