特征尺寸（CD）是衡量集成电路设计和制造工艺水平的重要尺度，特征尺寸为（）被称为深亚微米工艺技术层次。A．40nmB．0.25umC．0.35umD．14nm

题目

特征尺寸（CD）是衡量集成电路设计和制造工艺水平的重要尺度，特征尺寸为（）被称为深亚微米工艺技术层次。

A．40nm

B．0.25um

C．0.35um

D．14nm

相似考题

1.标志集成电路设计和制造水平的最重要的指标是什么?

2.尺寸链的特征是（）和（）。

3.尺寸链按各环的几何特征分为长度尺寸链和（）。A、直线尺寸链B、平面尺寸链C、空间尺寸链D、角度尺寸链

4.目前批量产品的特征尺寸已经降低到45纳米，在一块中等尺寸的芯片上可集成数十亿个晶体管。

更多“特征尺寸（CD）是衡量集成电路设计和制造工艺水平的重要尺度，特征尺寸为（）被称为深亚微米工艺技术层次。”相关问题

  • 第1题：

    超精密加工包括了所有能使零件成形、位置和尺寸精度到微米和亚微米范围的机械加工方法。


    正确答案:正确

  • 第2题：

    什么是特征尺寸CD？


    正确答案:最小特征尺寸，称为关键尺寸（Critical Dimension，CD）CD常用于衡量工艺难易的标志。

  • 第3题：

    有关特征尺寸论断中正确的是 （）。 

    • A、特征尺寸是指对给热过程产生直接影响的几何尺寸
    • B、对管内强制对流给热，若为圆管，特征尺寸取管内径d；如非圆形管，通常取当量直径de，de＝4×流动截面积/润湿周边长
    • C、对大空间内自然对流，因加热面高度对自然对流的范围和运动速度有直接的影响，故取加热（或冷却）表面的垂直高度为特征尺寸

    正确答案:A,B,C

  • 第4题：

    表示装配体的性能、规格和特征的尺寸叫做（）。

    • A、装配尺寸
    • B、安装尺寸
    • C、特性尺寸
    • D、配合尺寸

    正确答案:C

  • 第5题：

    填空题
    集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。

    正确答案： 设计水平
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？

    正确答案： 把0.35-0.8μm及以下称为亚微米级0.25um及其以下为深亚微米0.05um及其以下称为纳米级
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？

    正确答案： 集成电路中半导体器件的最小尺寸如MOSFET的最小沟道长度。是衡量集成电路加工和设计水平的重要标志。它的减小使得芯片集成度的直接提高。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    填空题
    Al栅CMOS的极限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工艺

    正确答案： 5微米,多晶硅栅
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。

    正确答案： 最小尺度
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2016年能实现量产的特征尺寸是多少？

    正确答案： 主流0.18um22nm
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    尺寸链具有两个重要特征：关联性和封闭性（）


    正确答案:正确

  • 第14题：

    尺寸链的主要特征是（）和（）。


    正确答案:封闭性；关联性

  • 第15题：

    装配图中标注的特征尺寸是说明机器的性能.规格和特征的尺寸。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    单选题
    复制后的新特征与原有特征独立是指（）。
    A

    原有特征的尺寸修改不影响到新特征

    B

    原有特征的尺寸修改影响到新特征

    C

    原有特征的尺寸修改可以影响也可以不影响新特征


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    问答题
    解释基本概念：集成电路、集成度、特征尺寸。

    正确答案： A.集成电路（IC://integrated circuit）是指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的集成块。
    B.集成度是指在每个芯片中包含的元器件的数目。
    C.特征尺寸是代表工艺光刻条件所能达到的最小栅长（L）尺寸。
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    以下关于MEMS概念的描述中，错误的是（）。
    A

    通过微细加工技术及微机械加工技术在半导体基板上制作的微型电子机械装置

    B

    在微电子学中衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度是特征尺寸

    C

    特征尺寸为1μm~10mm为小型机构

    D

    特征尺寸为1nm~10μm为纳米机械


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    填空题
    任何一个能直接的尺寸及其精度的变化，必将影响间接保证的尺寸及其精度，工艺尺寸链的这种特征性被称为（）。

    正确答案： 关联性
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

    正确答案： 436nm,365nm,248nm,193nm
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    CD是指硅片上的最小特征尺寸。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    装配图中标注的特征尺寸是说明机器的性能.规格和特征的尺寸。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？

    正确答案： 集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。
    解析： 暂无解析

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