9、在本征半导体中少量掺杂, 载流子浓度（）。（备选答案：增大、减小）

题目

9、在本征半导体中少量掺杂, 载流子浓度（）。（备选答案：增大、减小）

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1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

2.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

3.本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()

4.在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()

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  • 第1题：

    下列物质中载流子最多的是()。

    A.本征半导体

    B.掺杂半导体

    C.导体

    D.绝缘体


    参考答案：C

  • 第2题：

    在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷

    正确答案:A

  • 第3题：

    本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。


    正确答案:空穴；五价；N；电子

  • 第4题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷
    • E、空穴
    • F、自由电子

    正确答案:A,C

  • 第5题：

    半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。


    正确答案:自由电子；空穴；三价元素

  • 第6题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第7题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第8题：

    半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的


    正确答案:正确

  • 第9题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第10题：

    温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。


    正确答案:错误

  • 第11题：

    下列物质中载流子最多的是（）。

    • A、本征半导体
    • B、掺杂半导体
    • C、导体
    • D、绝缘体

    正确答案:C

  • 第12题：

    单选题
    杂质半导体中少数载流子浓度（）
    A

    与掺杂浓度和温度无关

    B

    只与掺杂浓度有关

    C

    只与温度有关

    D

    与掺杂浓度和温度有关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

    A、温度

    B、杂质浓度

    C、原本征半导体的纯度


    参考答案：B

  • 第14题：

    迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）


    正确答案:正确

  • 第15题：

    掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关


    正确答案:杂质的含量；温度；本征激励；温度

  • 第16题：

    在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。


    正确答案:P（空穴）型；空穴；N（电子）型；电子

  • 第17题：

    当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。

    • A、载流子数增加，电阻减小
    • B、载流子数减少，电阻减小
    • C、载流子数增加，电阻增大
    • D、载流子数减少，电阻增大

    正确答案:A

  • 第18题：

    本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.


    正确答案:少

  • 第19题：

    杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？


    正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

  • 第20题：

    温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）


    正确答案:增加；增加；基本不变

  • 第21题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂元素
    • C、掺杂浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:A

  • 第22题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

    • A、晶体缺陷
    • B、温度
    • C、杂质浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:C

  • 第23题：

    本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

    • A、电子载流子
    • B、空穴载流子
    • C、电子载流子和空穴载流子

    正确答案:C

  • 第24题：

    填空题
    本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

    正确答案： 空穴,五价,N,电子
    解析： 暂无解析

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