PECVD就是利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响的CVD技术。

题目

PECVD就是利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响的CVD技术。

相似考题

1.本安电路中的电容放电属于（）放电。A、弧光B、火花C、辉光

2.一般的霓虹灯的放电是处在（）放电阶段，用于照明的气体放电灯大多数是属于（）放电。A、辉光、弧光B、弧光、辉光C、辉光、辉光D、弧光、弧光

3.气体放电主要几种形式有（）。A、火花放电B、辉光放电C、电晕放电D、电弧放电

4.辉光放电与弧光放电中，正柱区的发光较为明亮．且最均匀，电场强度是常数，但相对辉光放电，弧光放电的电场强度（）。A、更大B、更小C、不一定D、相等

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  • 第1题：

    （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

    • A、蒸镀
    • B、离子注入
    • C、溅射
    • D、沉积

    正确答案:C

  • 第2题：

    什么是放电？什么是辉光放电？


    正确答案:放电是载流子在电场力作用下产生运动，使电流通过气体或金属蒸汽而产生的电磁辐射。辉光放电是阴极的二次电子发射比热电子发射要大得多的一种放电，其特征是阴极压降大（70V）和电流密度小。

  • 第3题：

    电焊就属于辉光放电。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。

    • A、物理气相沉积（PVD）
    • B、物理气相沉积（CVD）
    • C、化学气相沉积（VCD）
    • D、化学气相沉积（CVD）

    正确答案:D

  • 第5题：

    下面不是制造非晶硅太阳电池常用的方法是（）。

    • A、辉光放电法
    • B、反应溅射法
    • C、化学气相沉积法
    • D、电镀法

    正确答案:D

  • 第6题：

    气体放电的主要形式有（）。

    • A、火花放电
    • B、辉光放电
    • C、电弧放电
    • D、电晕放电

    正确答案:A,B,C,D

  • 第7题：

    问答题
    CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？

    正确答案： 1.更高的工艺温度（250-450℃）；
    2.对高的深宽比间隙有好的填充能力（用高密度等离子体）；
    3.淀积的膜对硅片有优良的粘附能力；
    4.高的淀积速率；
    5.少的针孔和空洞，因而有高的膜密度；
    6.工艺温度低因而应用广泛。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    什么是放电？什么是辉光放电？

    正确答案： 放电是载流子在电场力作用下产生运动，使电流通过气体或金属蒸汽而产生的电磁辐射。辉光放电是阴极的二次电子发射比热电子发射要大得多的一种放电，其特征是阴极压降大（70V）和电流密度小。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    “PECVD”中文表述是（）。
    A

    脉冲激光沉积

    B

    金属有机化学气相沉积

    C

    溅射

    D

    等离子体增强化学气相沉积


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    名词解释题
    辉光放电

    正确答案： 当气体电压较低，放电回路电源功率较小，外施电压增到一定值时，气体间隙突然放电并使整个间隙发亮，这种放电形式称为辉光放电。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    名词解释题
    PECVD（等离子增强CVD）

    正确答案： RF激活气体分子（等离子体），使其在低温（室温）下发生化学反应，淀积成膜。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    简述PECVD薄膜沉积的原理。


    正确答案:薄膜的沉积原理包括三个基本的过程：
    1）等离子体反应，是指等离子体通过与具有能量的电子、离子或者基团等粒子碰撞，使通入到反应室中的气体分子分解的过程。其中等离子体包括自由基、原子和分子等中性粒子，以及离子和电子等非中性粒子。
    2）输送粒子到基板表面，等离子体产生的粒子以扩散方式或离子加速的形式输运到基板表面。中性粒子受浓度梯度的驱动以扩散方式输运到基板表面，阳离子受等离子和基板间的电位差驱动而离子加速运动到基板表面。
    3）在表面发生反应，当粒子达到基板表面时，通过一系列吸附、迁移、反应，以及中间产物的解吸附过程形成要沉积的薄膜。衬底温度对每一步都是致关重要的。

  • 第14题：

    高频感应加热淬火是利用（）。

    • A、辉光放电原理
    • B、温差现象
    • C、电磁感应原理
    • D、热能原理

    正确答案:C

  • 第15题：

    关于CVD涂层，（）描述是不正确的。

    • A、CVD对高速钢有极强的粘附性
    • B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的
    • C、CVD涂层具有高耐磨性
    • D、CVD表示化学气相沉积

    正确答案:A

  • 第16题：

    本质安全电路的放电形式通常有：（）。

    • A、火花放电
    • B、弧光放电
    • C、辉光放电
    • D、电阻放电

    正确答案:A,B,C

  • 第17题：

    预真空压力蒸气灭菌器的灭菌原理是利用

    • A、重力置换的方法 
    • B、机械抽真空的方法 
    • C、能量转换的方法 
    • D、电磁辐射的方法 
    • E、等离子体辉光的方法 

    正确答案:B

  • 第18题：

    以下放电形式属于电气设备放电的有（）。

    • A、沿面放电
    • B、火花放电
    • C、电弧放电
    • D、辉光放电

    正确答案:A,B,C,D

  • 第19题：

    多选题
    本质安全电路的放电形式通常有：（）。
    A

    火花放电

    B

    弧光放电

    C

    辉光放电

    D

    电阻放电


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。
    A

    物理气相沉积（PVD）

    B

    物理气相沉积（CVD）

    C

    化学气相沉积（VCD）

    D

    化学气相沉积（CVD）


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    CVD为化学气相沉积技术的简称。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    名词解释题
    直流辉光放电

    正确答案： 在直流稳定电场作用下产生的气体放电现象。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    干法蚀刻通常指利用辉光放电方式，产生等离子体来进行图案转移的蚀刻技术。其中等离子体含有（）。
    A

    离子、电子

    B

    中性原子

    C

    分子

    D

    自由基


    正确答案： A,B,C,D
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    等离子体放电烧结过程中对参数的控制包括（）、（）、升温速率、压力、保温时间。

    正确答案： 烧结气氛,烧结温度
    解析： 暂无解析

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