增强型PMOS管的开启电压大于零。

题目

增强型PMOS管的开启电压大于零。

相似考题

1.增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零

2.场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。

3.增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()此题为判断题(对，错)。

4.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

参考答案和解析
错误
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  • 第1题：

    什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）


    正确答案：
     

  • 第2题：

    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

    • A、正极性
    • B、负极性
    • C、零
    • D、不能确定

    正确答案:A

  • 第3题：

    市电检测环节，地线正常的标准是？（）

    • A、零地电压=0v
    • B、零地电压大于0v小于5v
    • C、零地电压高于5v
    • D、零地电压大于0v小于10v

    正确答案:B

  • 第4题：

    当三极管的发射结正偏且大于开启电压，集电结反偏时，三极管处于（）状态。

    • A、截止
    • B、放大
    • C、饱和
    • D、临界

    正确答案:B

  • 第5题：

    二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）

    • A、正向电压大于PN结的死区电压
    • B、正向电压等于零
    • C、必须加反向电压

    正确答案:A

  • 第6题：

    当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。


    正确答案:无；最小

  • 第7题：

    下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

    • A、N沟道JFET
    • B、增强~AIPMOS管
    • C、耗尽型NMOS管
    • D、耗尽型PMOS管

    正确答案:B

  • 第8题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第9题：

    NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。


    正确答案:导通

  • 第10题：

    问答题
    请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

    正确答案： 对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压，此时不存在衬偏效应。而当PMOS中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压>0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。
    影响：使得PMOS阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
    A

    正极性

    B

    负极性

    C

    零

    D

    不能确定


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述PMOS管的具体结构。

    正确答案： 半导体部分的结构包含由两个P型硅的扩散区隔开的N型硅区域，这层型硅区域之上覆盖了由一个绝缘层和一个栅极的导电电极构成的夹层结构，两个P型硅的扩散区分别通过与金属导体的欧姆接触，形成源极和漏极。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在功率管开通过程中，使功率管的电流为零，或限制其电流的上升，从而减小电流与电压的交迭区域，称为（）.

    • A、零电流开启
    • B、零电流关断
    • C、零电压开启
    • D、零电压关断

    正确答案:A

  • 第14题：

    增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    PMOS管的开启电压UT为（）。

    • A、正值
    • B、负值
    • C、零值
    • D、正负值都有可能

    正确答案:B

  • 第16题：

    在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    增强型场效应管中，用Vt表示（）电压。


    正确答案:开启

  • 第18题：

    EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。

    • A、击穿电压
    • B、开启电压
    • C、夹断电压
    • D、直流电压

    正确答案:B

  • 第20题：

    在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure<0）。

    • A、大于
    • B、小于
    • C、等于
    • D、任意

    正确答案:B

  • 第21题：

    填空题
    MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。

    正确答案： MOS管栅下半导体表面开始强反型时的栅极电压,正,负
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

    正确答案： N阱
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    MOS管的开启电压有那些因素决定？

    正确答案： 由栅下半导体中的载流子浓度、栅氧化层的厚度、栅氧化层的固定电荷密度、可动电荷密度、界面态密度等有关
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
    A

    大于零

    B

    等于零

    C

    大于0.7V

    D

    小于零


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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