根据能带结构的特点，可以将半导体分为直接带隙和（）半导体。
题目
根据能带结构的特点，可以将半导体分为直接带隙和（）半导体。
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第1题：
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）答案：错解析： -
第2题：
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。
正确答案:元素；化合物 -
第3题：
半导体分为（）型半导体和（）型半导体两大类。
正确答案:N；P -
第4题：
过渡金属氧化物的能带结构有什么特点？如何提高n型或p型半导体的导电性能？
正确答案: 他们的能带结构是不叠加的，形成分开的带。在价带和导带之间有能量宽度为Eg的禁带。
可以提高反应温度或者添加一定量的助催化剂。 -
第5题：
试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
正确答案: ①导体中含有未满带，在外场的作用下，未满带上的电子分布发生偏移，从而改变了原来的中心堆成状态，占据不同状态的电子锁形成的运动电流不能完全抵消，未抵消的部分就形成了宏观电流；
②绝缘体不含未满带，满带中的电子不会受外场的作用而产生偏离平衡态的分布，而一些含有空带的绝缘体，也因为禁带间隙过大，下层满带的电子无法跃迁到空带上来形成可以导电的未满带，所以绝缘体不能导电；
③本本征半导体的情况和绝缘体类似，区别是其禁带能隙比较小，当受到热激发或外场作用时，满带中的电子比较容易越过能隙，进入上方空的允带，从而使材料具有一定的导电能力；
④掺杂半导体则是通过掺入异质元素，从而提供额外的自由电子或者额外的空穴以供下层电子向上跨越，使得跨越禁带的能量变低，电子更加容易进入上层的空带中，从而具有导电能力。 -
第6题：
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
正确答案:半导体；化合物 -
第7题：
产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。
正确答案:正确 -
第8题：
半导体分为（）半导体和（）型半导体。
正确答案:本征；PN -
第9题：
P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）
- A、不带电的
- B、带正点的
- C、带负电的
正确答案:A -
第10题：
问答题简述半导体能带特点。正确答案： 有带隙，电绝缘小，导带全空，价带全满。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题半导体的能带结构与金属导体、绝缘体的能带结构有何区别？正确答案： 绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。由于能带的亚结构之间的能量相差很小，因此这时只需很少的能量（如一外加电场），就能把电子激发到空的能级上，形成定向移动的电流。这正是具有这种能带结构的物质被称为金属导体的原因。如果某一能带刚好被填满，它与上面的空带间隔着一个禁带。
此时大于带隙间隔的能量才能把电子激发到空带上去。一般带隙较大（大于10eV数量级）的物质，被称为绝缘体。而带隙较小（小于1eV数量级）的物质，被称为半导体。半导体的费米能级位于满带与空带之间的禁带内，此时紧邻着禁带的满带称为价带，而上面的空带称为导带。如果由于某种原因将价带顶部的一些电子激发到导带底部，在价带顶部就相应地留下一些空穴，从而使导带和价带都变得可以导电。所以半导体的载流子有电子和空穴两种。绝缘体的禁带宽度较大，价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自由电子，故电导率较低；导体的禁带宽度较小，价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子，同时在价带顶形成空穴，故电导率较高；半导体禁带宽度介于二者之间，故电导率也介于二者之间。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题半导体中的杂质对半导体的能带结构和电学性质有何影响？正确答案： 掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本征半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。解析： 暂无解析 -
第13题：
按照半导体的结构类型，可以将三极管划分为NPN型和（）型。
- A、PPN
- B、NPI
- C、PNP
- D、NIP
正确答案:C -
第14题：
非晶硅是哪种半导体，其能带的特点？
正确答案:非晶硅是弱n型半导体。非晶硅能带中的状态可以分为两种，一种是位于带顶和带底附近形成带尾的状态是局域态；另一种是位于能带中部的态是扩展态。费米能级接近禁带中心线，偏向禁带中心线之上。 -
第15题：
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
正确答案:错误 -
第16题：
因半导体中掺加的杂质不同，含杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两类。
正确答案:N；P -
第17题：
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。
- A、导带也是空带
- B、满带与导带重合
- C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子
- D、禁带宽度较窄
正确答案:D -
第18题：
按照能带结构理论，本征半导体的能带可以分为（）个。
- A、1
- B、2
- C、3
- D、4
正确答案:C -
第19题：
根据敏感元件材料的不同，可以将应变器分为金属式和半导体式。
正确答案:正确 -
第20题：
要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
正确答案:正确 -
第21题：
填空题随着半导体粒子尺寸的减小，其带隙增加，相应的吸收光谱和荧光光谱将向（）方向移动，即（）。正确答案： 短波,蓝移解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题根据能带理论简述金属、半导体和绝缘体的导电性。正确答案： 金属：电子在能带中的填充可以形成不满带，即导带，因此它们一般是导体
半导体：从能带结构来看与绝缘体的相似，但半导体禁带宽度较绝缘体的窄，依靠热激发即可以将满带中的电子激发到导带中，因而具有导电能力。
绝缘体：价电子刚好填满了许可的能带，形成满带。导带和价带之间存在一个很宽的禁带，所以在电场的作用下没有电流产生。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题试述导体、半导体和绝缘体能带结构的基本特征。正确答案： 在导体中，除去完全充满的一系列能带外，还有只是部分地被电子填充的能带，后者可以起导电作用，称为导带。
在半导体中，由于存在一定的杂质，或由于热激发使导带中存有少数电子，或满带中缺了少数电子，从而导致一定的导电性。
在绝缘体中，电子恰好填满了最低的一系列能带，再高的各带全部都是空的，由于满带不产生电流，所以尽管存在很多电子，并不导电。解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。正确答案： （1）直接带隙：
A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点；
B.价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不发生变化，称为直接跃迁（c）直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。
例子：GaAs，GaN，ZnO
（2）间接带隙：
A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上；
B.价带的电子跃迁到导带时，不仅要求电子的能量要改变，电子的准动量也要改变，称为间接跃迁；
C.间接跃迁对应的半导体材料称为间接禁带半导体。
例子：Si，Ge解析： 暂无解析